[实用新型]一种GAN（氮化镓）MOSFET超薄型电源适配器

说明书

本实用新型涉及一种GAN(氮化镓)MOSFET超薄型电源适配器，包括适配器本体，所述适配器本体内设有依次连接的市电100V‑240V输入线路及抗雷击线路、EMI滤波电磁抗干扰线路、桥式整流滤波线路、功率变压器、RCD高压吸收线路、多模式准谐振GAN MOSFET超薄型次级侧检测和同步整流驱动控制器、次极MOS整流线路、防倒电流灌控制线路、PD协议制定IC和TYPE‑C输出接口；本实用新型的微处理器U1集成了多模式准谐振(QR)/CCM反激式控制器、GAN(氮化镓)MOSFET超薄型、次极侧检测和同步整流驱动，在整个负载范围内效率高达94％。

技术领域：

本实用新型涉及电源适配器技术领域，特指一种GAN(氮化镓) MOSFET超薄型电源适配器。

背景技术：

电源适配器是小型便捷式电子设备及电子电器的供电电源变换设备，电源适配器广泛配套于各领域的电子设备中，一般由外壳和变压器、电感、电容、微处理器等电子元件组成，通过电源适配器可将交流电转换为直流电；

随着使用者对电子设备的携带性要求变高，电子设备逐步朝向轻薄化发展，作为配套的电源适配器，也理应朝向轻薄化。

实用新型内容：

本实用新型的目的是克服现有产品的不足之处，提供一种GAN (氮化镓)MOSFET超薄型电源适配器。

本实用新型采用的技术方案是：一种GAN(氮化镓)MOSFET超薄型电源适配器，包括适配器本体，所述适配器本体内设有依次连接的市电100V-240V输入线路及抗雷击线路、EMI滤波电磁抗干扰线路、桥式整流滤波线路、功率变压器、RCD高压吸收线路、多模式准谐振GAN MOSFET超薄型次级侧检测和同步整流驱动控制器、次极MOS 整流线路、防倒电流灌控制线路、PD协议制定IC和TYPE-C输出接口；

所述PD协议制定IC9所用芯片型号为WT6636F，所述市电 100V-240V输入线路及抗雷击线路包括保险管F1和压敏电阻RV1，保险管F1的输入端与L火线连接，保险管F1与压敏电阻RV1并联，保险管F1的输出端与压敏电阻RV1的输入端连接，压敏电阻RV1的输出端与N零线连接；

所述EMI滤波电磁抗干扰线路包括励磁线圈LF1、电阻R21、电阻R20、电容CX1和励磁线圈LF2，所述励磁线圈LF1和励磁线圈LF2 分别设有接口1Ⅰ、接口1Ⅱ、接口1Ⅲ、接口1Ⅳ、接口2Ⅰ、接口 2Ⅱ、接口2Ⅲ和接口2Ⅳ，

所述励磁线圈LF1的接口1Ⅰ和接口1Ⅱ分别与压敏电阻RV1的输入端和输出端连接，所述励磁线圈LF1的接口1Ⅲ与励磁线圈LF2 的接口2Ⅰ连接，励磁线圈LF1的接口1Ⅳ与励磁线圈LF2的接口2 Ⅱ连接，电阻R20在分别与电阻R21串联、电容CX1并联后，并联在励磁线圈LF1与励磁线圈LF2的连接电路之间；

所述桥式整流滤波线路包括桥式整流二极管BD1、有极性电容 EC2、有极性电容EC3和有极性电容EC4，所述桥式整流二极管BD1 设有接口3Ⅰ、接口3Ⅱ、接口3Ⅲ和接口3Ⅳ，

所述桥式整流二极管BD1的接口3Ⅱ和接口3Ⅲ分别与励磁线圈 LF2的接口2Ⅲ和接口2Ⅳ连接，所述桥式整流二极管BD1的接口3 Ⅰ分别与有极性电容EC2、有极性电容EC3和有极性电容EC4的输入端并联，桥式整流二极管BD1的接口3Ⅳ分别与有极性电容EC2、有极性电容EC3和有极性电容EC4的输出端并联，接口3Ⅳ还与微处理器U1连接；

所述RCD高压吸收线路包括电容C17、电阻R22、电阻R23、电阻R24和二极管D3，

所述电容C17和电阻R22并联，且电容C17和电阻R22的输入端分别与桥式整流二极管BD1的接口3Ⅰ并联，电容C17和电阻R22 的输出端分别与电阻R24串联，所述电阻R24与电阻R23并联，与二极管D3串联；