[实用新型]一种针对敏感节点进行加固的抗辐射数据选择器电路

权利要求书

1.一种针对敏感节点进行加固的抗辐射数据选择器电路，其特征在于：所述抗辐射数据选择器电路包括反相器电路、数据选择器电路和C单元电路；

所述反相器电路是由PMOS管PM1和NMOS管NM1构成；所述PM1和NM1构成一个反相器，所述PM1的源极和电源相接，其漏极与NM1的漏极连接，NM1的源极接地，所述PM1和NM1的栅极均与选择信号S相接，所述PM1和NM1的漏极输出信号ns，所述输出信号ns与选择信号S反相；

所述数据选择器电路包括第一数据选择器电路和第二数据选择器电路；

所述第一数据选择器电路是由PMOS管PM2和PM3、NMOS管NM2和NM3以及第一传输门TM1和第二传输门TM2构成；所述PM2和NM2、PM3和NM3分别构成一个反相器，所述PM2、PM3的源极均和电源相接，PM2的漏极与NM2的漏极连接，PM3的漏极与NM3的漏极连接，NM2和NM3的源极均接地；所述PM2和NM2的栅极均与输入信号B相接，所述PM2和NM2的漏极端输出信号nb1，且与第一传输门TM1的左侧信号输入端连接，所述输出信号nb1与输入信号B反相；所述PM3和NM3的栅极均与输入信号A相接，所述PM3和NM3的漏极输出信号na1，且与第二传输门TM2的左侧信号输入端连接，所述输出信号na1与输入信号A反相；所述第一传输门TM1和第二传输门TM2的右侧信号输出端相连，输出信号ny1；所述第一传输门TM1的同相控制端与第二传输门TM2的反相控制端相连后与选择信号S连接；

所述第二数据选择器电路是由PMOS管PM4和PM5、NMOS管NM4和NM5以及第三传输门TM3和第四传输门TM4构成；所述PM4和NM4、PM5和NM5分别构成一个反相器，所述PM4、PM5的源极均和电源相接，PM4的漏极与NM4的漏极连接，PM5的漏极与NM5的漏极连接，NM4和NM5的源极均接地；所述PM4和NM4的栅极均与输入信号B相接，所述PM4和NM4的漏极端输出信号nb2，且与第三传输门TM3的左侧信号输入端连接，所述输出信号nb2与输入信号B反相；所述PM5和NM5的栅极均与输入信号A相接，所述PM5和NM5的漏极输出信号na2，且与第四传输门TM4的左侧信号输入端连接，所述输出信号na2与输入信号A反相；所述第三传输门TM3和第四传输门TM4的右侧信号输出端相连，输出信号ny2；所述第三传输门TM3的反相控制端与第二传输门TM2的同相控制端相连后与PM1和NM1的漏极相接；所述第三传输门TM3的同相控制端与第四传输门TM4的反相控制端相连后与选择信号S连接，所述第四传输门TM4的同相控制端与第一传输门TM1的反相控制端相连后与PM1和NM1的漏极相接；

所述C单元电路是由PMOS管PM6、PM7和NMOS管NM6、NM7构成，其输入信号为ny1和ny2，输出信号为Y；所述PM6的源极外接电源，其漏极与PM7的源极相接，所述PM7的漏极与NM7的漏极连接，NM7的源极与NM6的漏极连接，NM6的源极接地；所述PM6和NM6的栅极与信号ny1的输出端连接，输入信号ny1，PM7和NM7的栅极与信号ny2的输出端连接，输入信号ny2；所述PM7和NM7的漏极输出信号Y。