[实用新型]一种基于射频功率放大器系统的保护电路有效

专利信息
申请号: 201921210078.0 申请日: 2019-07-30
公开(公告)号: CN210007675U 公开(公告)日: 2020-01-31
发明(设计)人: 杨迪 申请(专利权)人: 成都安普利电子有限责任公司
主分类号: H03F1/52 分类号: H03F1/52
代理公司: 51229 成都正华专利代理事务所(普通合伙) 代理人: 李蕊;李林合
地址: 610000 四*** 国省代码: 四川;51
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摘要:
搜索关键词: 电路 本实用新型 功率放大器 检波电路 功率放大器系统 射频功率放大器 监控保护电路 温度采集电路 低通滤波器 驱动放大器 输出 传统射频 电阻耦合 功率放大 开关电路 微带耦合 隔离器
【权利要求书】:

1.一种基于射频功率放大器系统的保护电路,包括:驱动放大器、功率放大器、隔离器和低通滤波器,其特征在于,还包括:电阻耦合电路、输入检波电路、MCU电路、输出检波电路、温度采集电路、微带耦合电路和功率放大器开关电路;

所述电阻耦合电路的输入端作为基于射频功率放大器系统的保护电路的输入端RFin,所述电阻耦合电路的分别与驱动放大器和输入检波电路连接,所述驱动放大器与功率放大器连接,所述功率放大器分别与隔离器和功率放大器开关电路连接,所述隔离器与低通滤波器连接,所述低通滤波器与微带耦合电路连接,所述微带耦合电路的输出端作为基于射频功率放大器系统的保护电路的输出端FRout,所述微带耦合电路与输出检波电路连接,所述MCU电路分别与输入检波电路、功率放大器开关电路、温度采集电路和输出检波电路连接。

2.根据权利要求1所述的基于射频功率放大器系统的保护电路,其特征在于,所述MCU电路的MUC芯片为STC15W104-35I,其外围接口包括:IR1接口、OR2接口、CTRL接口、TEMP接口和+5V接口,所述+5V接口与外部5V电源连接。

3.根据权利要求2所述的基于射频功率放大器系统的保护电路,其特征在于,所述功率放大器开关电路包括:电平转换电路和开关电路。

4.根据权利要求3所述的基于射频功率放大器系统的保护电路,其特征在于,所述电平转换电路的外围接口包括:CTRL接口、-5V接口和C_OUT接口,所述电平转换电路包括:二极管D2和电阻BR1,所述电阻BR1的一端作为电平转换电路的-5V接口,所述电阻BR1的另一端与二极管D2的正极连接,并作为电平转换电路的C_OUT接口,所述二极管D2的负极作为电平转换电路的CTRL接口;所述电平转换电路的CTRL接口与MCU电路的CTRL接口连接,所述电平转换电路的-5V接口与外部电源连接,所述电平转换电路的C_OUT接口与开关电路连接。

5.根据权利要求3所述的基于射频功率放大器系统的保护电路,其特征在于,所述开关电路的外围接口包括:+8V接口、功率放大器接口K7、功率放大器接口K8和C_OUT接口,所述开关电路包括:接地电容C23、接地电容C24、接地电容C20、电阻R25、MOS管IRF4905SPBF、接地电容C21、接地电容C22、接地电容C60、电阻R30、二极管D1、三极管Q1和电阻R35;所述电阻R35的一端作为开关电路的C_OUT接口,所述电阻R35的另一端与三极管Q1的发射极连接,所述三极管Q1的基极接地,所述三极管Q1的集电极与二极管D1负极连接,所述二极管D1的正极与电阻R30的一端连接,所述电阻R30的另一端分别与电阻R25的一端和MOS管IRF4905SPBF的栅极连接,所述MOS管IRF4905SPBF的源极分别与电阻R25的另一端、接地电容C20、接地电容C23和接地电容C24连接,并作为开关电路的+8V接口,所述MOS管IRF4905SPBF的漏极分别与接地电容C21、接地电容C22和接地电容C60连接,并作为开关电路的功率放大器接口K7和功率放大器接口K8,所述开关电路的+8V接口与外部+8V电源连接,所述开关电路的C_OUT接口与电平转换电路连接。

6.根据权利要求1所述的基于射频功率放大器系统的保护电路,其特征在于,所述输入检波电路包括:第一放大电路和第一比较器电路。

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