[实用新型]一种基于TSV的多芯片封装结构

说明书

本实用新型涉及芯片封装领域，具体涉及一种基于TSV的多芯片的封装结构，多芯片封装结构包括互连结构；第一芯片，设置在互连结构上；转接板，设置在互连结构上，转接板与第一芯片位于互连结构上的同一侧，转接板的厚度大于第一芯片；第二芯片，第二芯片设置在转接板上，且与互连结构相对设置；以及，封装层。通过设置互连结构与转接板，转接板具有一定厚度，且第二芯片安装在转接板上，使得第一芯片与第二芯片可以处于两个不同高度的平面上，从而实现了多芯片之间的三维封装，与现有技术相比，本实用新型提供的封装结构中，第一芯片与第二芯片的尺寸之和不必再受限于互连结构平面尺寸的大小，从而扩展了芯片封装结构的多元化发展。

技术领域

本实用新型涉及芯片封装领域，具体涉及一种基于TSV的多芯片封装结构。

背景技术

随着电子产品向小型化、高性能、高可靠等方向发展，系统集成度也日益提高，以硅通孔(Through Silicon Via，TSV)为核心的2.5D/3D集成技术已经被广泛认为是未来高密度封装领域的主导技术，与传统的2D封装相比，基于TSV的2.5D封装使多个芯片在转接板上直接实现互连，大大缩短了走线长度，降低了信号延迟与损耗。

现在的基于TSV的封装结构，通常都是直接在一块硅衬底上即设置TSV阵列，同时又在硅衬底的上下表面进行布线形成互连层从而组装成TSV转接板， TSV转接板作为封装载体，通过将芯片直接并排放置或堆叠放置在该封装载体上即可实现多芯片之间的互连，其中硅通孔阵列实现穿过硅衬底的垂直互连，互连层则提供顶部与底部芯片间不同间距TSV的水平互连。

在这样设置的多芯片封装结构中，由于互连层大小的限制，故要求集成在 TSV转接板上的芯片的尺寸之和需小于TSV转接板的尺寸，从而导致芯片的尺寸选择会受到限制，不利于芯片封装的多元化发展。

发明内容

因此，本实用新型要解决的技术问题在于克服现有技术中的多芯片封装结构中，由于互连层大小的限制，要求集成在TSV转接板上的芯片的尺寸之和需小于TSV转接板的尺寸，从而导致芯片的尺寸选择会受到限制，不利于芯片封装的多元化发展的缺陷，从而提供一种基于TSV的多芯片封装结构。

为解决上述技术问题，本实用新型采用的技术方案为：

一种基于TSV的多芯片封装结构，包括：

互连结构，其上布设有互连线；

第一芯片，其设置在所述互连结构上且与所述互连结构电连接；

转接板，其上开设有TSV阵列，所述TSV孔内填充有导电金属，所述转接板设置在互连结构上且与所述互连结构电连接，所述转接板与所述第一芯片位于所述互连结构上的同一侧，所述转接板的厚度大于所述第一芯片；

第二芯片，所述第二芯片设置在所述转接板上，且与所述互连结构相对设置，所述第二芯片与所述转接板电连接；以及，

封装层，设置在互连结构上，用于对所述转接板、第一芯片以及第二芯片进行封装。

进一步的，所述互连结构包括介质层，以及布设在所述介质层的互连线。

进一步的，所述第二芯片的长和/或宽均大于所述转接板，所述多芯片封装结构还包括第三芯片，所述第三芯片设置在所述第二芯片上且与所述第二芯片电连接，所述第三芯片位于所述第二芯片的靠近所述互连结构的一侧。

进一步的，所述TSV转接板与所述互连结构、所述第一芯片与所述TSV转接板、所述第一芯片与所述第二芯片、所述第三芯片与所述互连结构之间通过焊球或凸块连接。

进一步的，所述封装层包括至少两层塑封绝缘层。

进一步的，所述互连结构上还设置有用于实现所述多芯片封装结构与其他元件电连接的凸点结构。

本实用新型技术方案，具有如下优点：