[实用新型]一种大尺寸单晶硅片、电池及组件

说明书

本实用新型提供一种太阳电池用大尺寸单晶硅片，包括硅片本体，硅片本体包括多个圆弧部和多个直壁部，圆弧部与直壁部依次交替连接，多个圆弧部在同一圆上，直壁部的边距为172‑230mm，圆弧部的弧长投影为0.50‑20.90mm，硅片本体的晶面指数为(100)。本实用新型的有益效果是通过减少弧长投影长度，使硅片形成准正方，减少组件空白区域；增大硅片尺寸，提高单片发电功率，摊薄单瓦系统成本。

技术领域

本实用新型属于直拉单晶技术领域，尤其是涉及一种大尺寸单晶硅片、电池及组件。

背景技术

现有太阳电池用单晶硅片包括M2硅片(直径210mm，边距156.75mm)、 M4硅片(直径211mm，边距161.7mm)、M6硅片(直径223mm，边距166mm)，这些单晶硅片制作成太阳能电池，然后电池组装成组件，一般由60片组装成一个太阳能电池组件板，由于硅片为假方片，片与片之间存在间隙，如图4所示，K区域为空白区，G区域为硅片区域。太阳光线照射到空白区域上是不能发电的，属于无效区域，这样空白区域越大，单位面积上发电量越小。因此应尽可能使硅片为正方片，这样组装起来的组件空白区域就会越小，单位面积发电量越大，进而提升组件功率。

发明内容

鉴于上述问题，本实用新型要解决的问题是提供一种大尺寸单晶硅片、电池及组件，通过减少弧长投影长度，减少组件空白区域，增加硅片尺寸，提高单片发电功率。

为解决上述技术问题，本实用新型采用的技术方案是：一种太阳电池用大尺寸单晶硅片，包括硅片本体，硅片本体包括多个圆弧部和多个直壁部，圆弧部与直壁部依次交替连接，多个圆弧部在同一圆上，直壁部的边距为 172-230mm，圆弧部的弧长投影为0.50-20.90mm，硅片本体的晶面指数为 (100)。

进一步的，直壁部的边距为190-200mm。

进一步的，圆的直径为240-320mm。

进一步的，直壁部的边长为167.38-222.49mm。

进一步的，直壁部的晶向指数均为{100}。

进一步的，直壁部的数量至少为四个。

进一步的，圆的直径为245-281mm。

进一步的，直壁部的边长为154.68-197.39mm。

一种大尺寸单晶硅片电池，由上述的大尺寸单晶硅片制备而成。

一种大尺寸单晶硅片电池组件，由上述的大尺寸单晶硅片电池组成。

由于采用上述技术方案，通过减少弧长投影长度，使硅片形成准正方，减少组件空白区域；增大硅片尺寸，提高单片发电功率，摊薄单瓦系统成本；

与常规硅片相比，能有效减少组件空白区域，提高单位面积发电量，增加组件功率；

预留一定量的弧长投影，改善硅片边缘质量，减少崩损；

与常规硅片相比，面积增加60％以上，有效增加的单片的发电量，降低了在制造端和电站端的单位成本；

大硅片可以降低电池与组件端的单瓦生产成本；在电站端，大硅片组件可以提升组件功率，减少建设用地、支架、汇流箱、电缆等成本，降低物流运输、现场施工成本，从而摊薄单瓦系统成本。

附图说明

图1是本实用新型的一实施例的结构示意图；

图2是图1的A部的放大图；

图3是本实用新型的一实施例的硅片的晶向指数和晶面指数示意图；

图4是现有技术中太阳电池组件结构示意图。

图中：