[实用新型]一种高效率的半导体发光元件及半导体发光装置

说明书

本实用新型属于半导体的技术领域，具体涉及一种高效率的半导体发光元件，包括若干个半导体层(1)，相邻两个所述半导体层(1)的电性不相同，相邻两个半导体层(1)之间设置有发光层(2)，最顶部的所述半导体层(1)的上方和最底部的所述半导体层(1)的下方均设置有绝缘沟槽层(3)，所述绝缘沟槽层(3)内填充有散热材料(4)，若干个所述半导体层(1)形成的侧部设置有透光板(5)，所述透光板(5)的表面固定有发散层(6)。本实用新型采用易于生产的设计，有助于降低生产成本，同时，能够进行多面发光，有助于提高半导体发光元件的发光效率。

技术领域

本实用新型属于半导体的技术领域，具体涉及一种高效率的半导体发光元件及半导体发光装置。

背景技术

发光二极管的光提取效率是指能够出射到器件表面以外的光子与外延片的有源区电子空穴复合所产生的总的光子的比例。在传统LED器件中，由于光面的全反射、衬底吸收、电极阻挡等因素的存在，光提取效率在30%以下，绝大部分光子被限制在器件内部被反复吸收，最终以热量的形式释放，从而影响器件发光效率。

其中，中国专利文献公开了一种半导体发光元件(公开号：CN 202797052 U)，包括：第一半导体层、发光层、第二半导体层和第一电极焊盘，所述第一半导体层、所述发光层和所述第二半导体层从下往上依次层叠设置，所述第一电极焊盘设置在所述第二半导体层上，并与所述第二半导体层电连接，所述发光层发出的光线穿过所述第二半导体层出射，所述半导体发光元件进一步包括电流阻挡层，所述电流阻挡层嵌于所述第二半导体层中，并位于所述第一电极焊盘的下方。上述的方案在一定程度上减少电流扩散，但是这种方案至少还存在以下缺陷：第一，结构复杂且不易于生产；第二，只能进行单面发光，且功耗较大。

实用新型内容

本实用新型的目的之一在于：针对现有技术的不足，提供一种高效率的半导体发光元件，采用易于生产的设计，有助于降低生产成本，同时，能够进行多面发光，有助于提高半导体发光元件的发光效率。

为了实现上述目的，本实用新型采用如下技术方案：

一种高效率的半导体发光元件，包括若干个半导体层，相邻两个所述半导体层的电性不相同，相邻两个半导体层之间设置有发光层，最顶部的所述半导体层的上方和最底部的所述半导体层的下方均设置有绝缘沟槽层，所述绝缘沟槽层内填充有散热材料，若干个所述半导体层形成的侧部设置有透光板，所述透光板的表面固定有发散层。

作为本实用新型所述的一种高效率的半导体发光元件的一种改进，若干个所述半导体层为阵列式排列。

作为本实用新型所述的一种高效率的半导体发光元件的一种改进，相邻两个所述半导体层错开设置。

作为本实用新型所述的一种高效率的半导体发光元件的一种改进，相邻两个所述半导体层之间距离为2mm~3 mm。

作为本实用新型所述的一种高效率的半导体发光元件的一种改进，所述半导体层和所述绝缘沟槽层的距离为在0mm ~2mm。

作为本实用新型所述的一种高效率的半导体发光元件的一种改进，所述半导体层的数量为2~4个。

作为本实用新型所述的一种高效率的半导体发光元件的一种改进，所述发散层为至少一层，所述发散层为光学滤光片。

作为本实用新型所述的一种高效率的半导体发光元件的一种改进，所述发散层的厚度为1 .5μm-10μm。

本实用新型的目的之一在于提供一种半导体发光装置，包括上述半导体发光元件。