[实用新型]一种Si衬底InGaN可见光探测器

权利要求书

1.一种Si 衬底InGaN可见光探测器，其特征在于，包括从下到上依次排布的Si衬底、缓冲层、InGaN功能层和Ni/Au金属层电极，所述缓冲层为从下到上依次排布的AlN层、AlGaN层和GaN层，InGaN功能层采用InGaN复合材料。

2.根据权利要求1所述的Si 衬底InGaN可见光探测器，其特征在于，缓冲层中AlN层的厚度为200~300 nm。

3.根据权利要求1所述的Si 衬底InGaN可见光探测器，其特征在于，缓冲层中AlGaN层的厚度为500~600 nm。

4.根据权利要求1所述的Si 衬底InGaN可见光探测器，其特征在于，缓冲层中GaN层的厚度为2~3 μm。

5.根据权利要求1所述的Si 衬底InGaN可见光探测器，其特征在于，InGaN功能层的厚度为10~15 nm。

6.根据权利要求1所述的Si 衬底InGaN可见光探测器，其特征在于，Ni/Au金属层电极为叉指电极。

7.根据权利要求1所述的Si 衬底InGaN可见光探测器，其特征在于，Ni/Au金属层电极为从下到上依次排布的Ni金属层和Au金属层。

8.根据权利要求7所述的Si 衬底InGaN可见光探测器，其特征在于， Ni金属层的厚度为80~100nm，Au金属层的厚度为80~100nm。