[实用新型]一种电缆状态检测装置

权利要求书

1.一种电缆状态检测装置，其特征在于，包括直流高压发生器模块、IGBT高压开关模块、欠阻尼振荡电路模块、下位机控制模块、上位机控制模块，所述直流高压发生器模块分别与IGBT高压开关模块、下位机控制模块连接，所述IGBT高压开关模块分别与欠阻尼振荡电路模块、下位机控制模块连接，所述欠阻尼振荡电路模块分别与上位机控制模块、待测电阻连接，所述下位机控制模块还与上位机控制模块连接。

2.根据权利要求1所述的电缆状态检测装置，其特征在于，所述直流高压发生器模块包括整流电路、整流驱动电路、逆变电路、逆变驱动电路、倍压整流电路、信号采集电路；所述整流驱动电路分别与下位机控制模块以及整流电路连接，所述逆变驱动电路分别与下位机控制模块以及逆变电路连接，所述整流电路以及逆变电路与IGBT高压开关模块连接，所述整流电路、逆变电路、倍压整流电路、信号采集电路依次连接后与下位机控制模块连接。

3.根据权利要求2所述的电缆状态检测装置，其特征在于，所述直流高压发生器模块还包括中央处理器、无线通信电路，所述信号采集电路包括电压采集子电路、电流采集子电路，所述整流电路、逆变电路以及倍压整流电路串联后分别与所述电压采集子电路、电流采集子电路并联，所述电压采集子电路、电流采集子电路分别与中央处理器连接后通过无线通信电路与所述下位机控制模块信号连接。

4.根据权利要求3所述的电缆状态检测装置，其特征在于，所述整流驱动电路包括第一磁环变压器、第一开关MOS管、第一电阻、第一电容、第二电容、第一同步整流MOS管、第二同步整流MOS管、第一电感、第三电容；所述第一磁环变压器副边侧的两端分别与第一开关MOS管的栅极和源极连接，所述第一开关MOS管的漏极与第一电阻的一端、第一电容、第二电容的一端以及第一同步整流MOS管的栅极依次连接后与第二同步整流MOS管的栅极连接；所述第一开关MOS管的源极与第一电阻的另一端、第二同步整流MOS管的漏极依次连接，第二同步整流MOS管的源极与第一同步整流MOS管的源极、第三电容的一端依次连接，所述第一开关MOS管的栅极与第二电容的另一端、第一同步整流MOS管的漏极、第一电感、第三电容的另一端依次连接；

还包括第二磁环变压器、第二开关MOS管、第二电阻、第四电容、第五电容、第三同步整流MOS管、第四同步整流MOS管、第二电感、第六电容；所述第二磁环变压器副边侧的两端分别与第二开关MOS管的栅极和源极连接，所述第二开关MOS管的漏极与第二电阻的一端、第四电容、第五电容的一端以及第三同步整流MOS管的栅极依次连接后与第四同步整流MOS管的栅极连接；所述第二开关MOS管的源极与第二电阻的另一端、第四同步整流MOS管的漏极依次连接，第四同步整流MOS管的源极与第三同步整流MOS管的源极、第六电容的一端依次连接，所述第二开关MOS管的栅极与第五电容的另一端、第三同步整流MOS管的漏极、第二电感、第六电容的另一端依次连接，所述第三电容的两端和第六电容的两端分别与供电电源的母线对应连接。

5.根据权利要求3所述的电缆状态检测装置，其特征在于，所述逆变驱动电路包括驱动光耦、第三电阻、第四电阻、第五电阻、第六电阻、第七电容、第八电容、第一三极管、第二三极管、第一稳压二极管、第二稳压二极管、第三电感；

所述驱动光耦的第二引脚通过第三电阻与脉冲宽度调制信号连接，所述驱动光耦的第三引脚接地，所述驱动光耦的第八引脚与第四电阻的一端连接后接电源，所述驱动光耦的第七引脚与第六引脚、第七电容、第五电阻的一端连接，所述驱动光耦的第五引脚与第七电容的另一端连接后接地，所述第四电阻的另一端与第五电阻的一端连接，所述第五电阻的另一端与第一三极管的基极连接，所述第一三极管的集电极与供电电源连接，所述第一三极管的发射极与第二三极管的集电极、第三电感的一端连接，所述第二三极管的发射极接地，所述第六电阻的一端与第五电阻的另一端连接，所述第六电阻的另一端与第三电感的一端连接，所述第一稳压二极管的负极和正极分别与第五电阻的一端和另一端对应连接，所述第二稳压二极管的负极与第四电阻的另一端、第八电容的一端连接，所述第二稳压二极管的正极与第七电容的另一端、第八电容的另一端连接。