[实用新型]一种高灵敏宽量程电容式力传感器

权利要求书

1.一种高灵敏宽量程电容式力传感器，包括相键合的硅衬底（1）和玻璃衬板（2），其特征在于，

所述硅衬底（1）的第一端通过介质（8）连接有上层硅薄膜（3）；所述上层硅薄膜（3）的表面依次形成有第一硼硅膜（51）和第一膜上电极（61）；

所述硅衬底（1）的第二端形成有下层硅悬臂梁（4），所述硅衬底（1）的第二端和所述下层硅悬臂梁（4）的上表面覆盖有第二硼硅膜（52）；所述第二硼硅膜（52）的表面依次形成有第二硼硅膜（52）和第二膜上电极（62）；

所述高灵敏宽量程电容式力传感器还包括衬底电极（7），位于所述玻璃衬板（2）的顶表面。

2.如权利要求1所述的高灵敏宽量程电容式力传感器，其特征在于，所述衬底电极（7）位于所述玻璃衬板（2）的中心位置。

3.如权利要求2所述的高灵敏宽量程电容式力传感器，其特征在于，所述衬底电极（7）的第一部分与所述第一硼硅膜（51）构成第一平行板电容，第二部分与所述第二硼硅膜（52）构成第二平行板电容。

4.如权利要求1所述的高灵敏宽量程电容式力传感器，其特征在于，所述下层硅悬臂梁（4）的一端与所述硅衬底（1）连接，另一端悬空；其上表面与所述硅衬底（1）齐平。

5.如权利要求1所述的高灵敏宽量程电容式力传感器，其特征在于，所述上层硅薄膜（3）的一端悬浮，另一端通过所述介质（8）与所述硅衬底（1）连接。

6.如权利要求1所述的高灵敏宽量程电容式力传感器，其特征在于，所述上层硅薄膜（3）高于所述下层硅悬臂梁（4），且所述上层硅薄膜（3）向下弯曲时能够接触到所述下层硅悬臂梁（4）。

7.如权利要求1所述的高灵敏宽量程电容式力传感器，其特征在于，所述上层硅薄膜（3）的厚度小于所述下层硅悬臂梁（4）的厚度。