[实用新型]一种硅基扇出型封装结构有效
| 申请号： | 201921224999.2 | 申请日： | 2019-07-31 |
| 公开（公告）号： | CN210296343U | 公开（公告）日： | 2020-04-10 |
| 发明（设计）人： | 王成迁 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第五十八研究所 |
| 主分类号： | H01L23/31 | 分类号： | H01L23/31;H01L23/367;H01L23/488 |
| 代理公司： | 无锡派尔特知识产权代理事务所(普通合伙) 32340 | 代理人： | 杨立秋 |
| 地址： | 214000 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 硅基扇出型 封装 结构 | ||
1.一种硅基扇出型封装结构，包括硅基(101)，其特征在于，
所述硅基(101)上刻蚀的凹槽中埋有芯片(201)；
所述硅基(101)和所述芯片(201)上依次形成有干膜材料(302)和阻焊层(305)；
所述阻焊层(305)上形成有凸点(304)，并通过再布线层(303)与所述芯片(201)的焊盘连通。
2.如权利要求1所述的硅基扇出型封装结构，其特征在于，所述硅基(101)底部沉积有截止层(102)。
3.如权利要求2所述的硅基扇出型封装结构，其特征在于，所述阻焊层(305)完全包裹除截止层(102)外的五个面，包裹厚度不小于0.5μm。
4.如权利要求2所述的硅基扇出型封装结构，其特征在于，所述截止层(102)的材质为无机材料的一种或几种，或金属材料的一种或几种，其厚度不小于0.1μm，
所述无机材料包括SiO2、SiC和SiN；
所述金属材料包括Al、Cu、Ni、Sn和Au。
5.如权利要求1所述的硅基扇出型封装结构，其特征在于，所述再布线层(303)为一层或多层。
6.如权利要求5所述的硅基扇出型封装结构，其特征在于，所述再布线层(303)位于所述阻焊层(305)中。
7.如权利要求1所述的硅基扇出型封装结构，其特征在于，所述干膜材料(302)为包括树脂类和聚酰亚胺类在内的聚合物材质。
8.如权利要求1所述的硅基扇出型封装结构，其特征在于，所述芯片(201)通过粘合胶(301)埋入在所述凹槽中。
9.如权利要求1所述的硅基扇出型封装结构，其特征在于，所述凹槽的深度不小于10μm。
10.如权利要求1所述的硅基扇出型封装结构，其特征在于，每个凹槽中埋有一个或多个芯片(201)。
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