[实用新型]一种三维系统级集成硅基扇出型封装结构

权利要求书

1.一种三维系统级集成硅基扇出型封装结构，包括硅基（101），其特征在于，

所述硅基（101）的第一面沉积有截止层（102）；

所述硅基（101）的第二面刻蚀有TSV通孔和凹槽，所述TSV通孔中制作有背面第一层重布线（105），所述凹槽中埋有桥芯片（301）；

所述背面第一层重布线（105）依次通过背面第二层重布线（107）和微凸点（306）与高密度I/O异质芯片焊接；

所述硅基（101）的第一面依次形成有正面重布线（110）、阻焊层（111）和凸点（112），所述正面重布线（110）与所述背面第一层重布线（105）连接。

2.如权利要求1所述的三维系统级集成硅基扇出型封装结构，其特征在于，所述硅基（101）和所述桥芯片（301）之间填充有干膜材料（106）。

3.如权利要求2所述的三维系统级集成硅基扇出型封装结构，其特征在于，所述干膜材料（106）为包括树脂类和聚酰亚胺类在内的聚合物材质。

4.如权利要求1所述的三维系统级集成硅基扇出型封装结构，其特征在于，所述硅基（101）的第二面塑封有塑封材料（108），所述塑封材料（108）包裹所述第二层重布线（107）、所述微凸点（306）和所述高密度I/O异质芯片。

5.如权利要求4所述的三维系统级集成硅基扇出型封装结构，其特征在于，所述塑封材料（108）是包括树脂类和聚酰亚胺类在内的聚合物。

6.如权利要求1所述的三维系统级集成硅基扇出型封装结构，其特征在于，所述截止层（102）的材质为无机材料的一种或多种，或金属材料的一种或多种，其厚度不小于0.1μm，

所述无机材料包括SiO2、SiC和SiN；

所述金属材料包括Al、Cu、Ni、Sn和Au。

7.如权利要求1所述的三维系统级集成硅基扇出型封装结构，其特征在于，所述凹槽大小根据埋入芯片尺寸决定，其深度至少为10μm；所述TSV通孔深度与所述凹槽一致，所述凹槽和所述TSV通孔数量均在一个以上。

8.如权利要求1所述的三维系统级集成硅基扇出型封装结构，其特征在于，所述桥芯片（301）通过粘合胶（303）埋入凹槽，所述凹槽中埋入一颗或多颗桥芯片；所述桥芯片（301）的焊盘朝外，埋入桥芯片（301）后所述桥芯片（301）形成的高度与所述硅基（101）平面的高度误差不超过5μm。