[实用新型]一种具有环状类Y型电极的微尺寸LED器件有效

专利信息
申请号: 201921226070.3 申请日: 2019-07-31
公开(公告)号: CN210607303U 公开(公告)日: 2020-05-22
发明(设计)人: 王洪;谭礼军;姚若河;武智斌 申请(专利权)人: 华南理工大学;中山市华南理工大学现代产业技术研究院
主分类号: H01L33/20 分类号: H01L33/20;H01L33/14;H01L33/44;H01L33/38;H01L33/00
代理公司: 广州粤高专利商标代理有限公司 44102 代理人: 何淑珍;江裕强
地址: 510640 广*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 具有 环状 电极 尺寸 led 器件
【权利要求书】:

1.一种具有环状类Y型电极的微尺寸LED器件,其特征在于,所述器件包括衬底和衬底上连接的凸台型结构,所述凸台型结构包括凸台下部和凸台上部,凸台上部位于凸台下部之上,凸台上部的横截面积小于凸台下部的横截面积;凸台下部包括从下到上依次排列的缓冲层、未掺杂N型GaN层和第一N-GaN层;凸台上部包括从下到上依次排列分布的第二N-GaN层、多量子阱层、P型AlGaN层和P-GaN层,第一N-GaN层和第二N-GaN层一体成型;凸台下部的上表面连接凸台上部以外的区域连接N电极;凸台上部的上表面连接电流扩展层,电流扩展层上连接P电极,所述P电极为环状类Y型电极,所述环状类Y型电极包括一个圆环状接触环和两个以上类Y型叉,类Y型叉包括一底臂以及和底臂一端分别连接的第一分叉和第二分叉,底臂的另一端和圆环状接触环连接;凸台型结构上除P电极和N电极以外的区域沉积有一层钝化层。

2.根据权利要求1所述的具有环状类Y型电极的微尺寸LED器件,其特征在于,所述底臂、第一分叉和第二分叉均为直型线条,第一分叉和第二分叉对称分布在底臂的两侧,分叉角度为30°~120°。

3.根据权利要求1所述的具有环状类Y型电极的微尺寸LED器件,其特征在于,所述底臂、第一分叉均为直型线条,第二分叉包括一直型线条以及和直型线条连接的圆弧,第一分叉和第二分叉的直型线条对称分布在底臂的两侧,分叉角度为30°~120°;第二分叉的圆弧向第二分叉的直型线条的一侧沿着圆弧角度延伸,但圆弧和其他类Y型叉不接触;第一分叉的直型线条的长度大于第二分叉的直型线条的长度。

4.根据权利要求1所述的具有环状类Y型电极的微尺寸LED器件,其特征在于,所述底臂为直型线条,第一分叉和第二分叉均包括一直型线条以及和直型线条连接的圆弧,第一分叉和第二分叉的直型线条对称分布在底臂的两侧,分叉角度为30°~120°;第一分叉的圆弧向第一分叉的直型线条的一侧沿着圆弧角度延伸,第二分叉的圆弧向第二分叉的直型线条的一侧沿着圆弧角度延伸,但圆弧和其他类Y型叉不接触;第一分叉的直型线条的长度大于第二分叉的直型线条的长度。

5.根据权利要求1所述的具有环状类Y型电极的微尺寸LED器件,其特征在于,所述凸台上部和凸台下部为圆柱体结构,凸台上部位于凸台下部的中心处;电流扩展层的面积小于凸台上部的底面面积;凸台上部的底面直径为20um~200um,凸台下部的底面直径比凸台上部的底面直径大30um~50um;P电极位于电流扩展层上表面的中心处;所述N电极为圆环,在圆环的外圆上连接一矩形凸起,凸起位于外圆的径向方向上,凸起的宽度与长度为5um~10um;N电极位于第一N-GaN层上表面的边缘与多量子阱层下表面的边缘之间区域的中心;P电极下方的电流扩展层上表面为粗化结构。

6.根据权利要求1所述的具有环状类Y型电极的微尺寸LED器件,其特征在于,电流扩展层为ITO,厚度为100~230nm;所述钝化层为SiO2或双层介质层,所述双层介质层为从下到上排布的两个折射率不同的介质层组成,且上层介质层的折射率低于下层介质层的折射率;双层介质层为 HfO2/MgO、HfO2/SiO2或MgO/SiO2; HfO2/MgO中下层为HfO2,上层为MgO;HfO2/SiO2中下层为HfO2,上层为SiO2; MgO/SiO2中下层为MgO,上层为SiO2;P电极和N电极为Cr/Al/Ti/Au金属层,金属层的总厚度为1.15um ~1.35um;衬底为蓝宝石材料。

7.根据权利要求1所述的具有环状类Y型电极的微尺寸LED器件,其特征在于,环状类Y型电极中的类Y型叉的个数为3、4或5,相应的类Y型叉之间两两成120°、90°或72°均匀地与圆环状接触环连接,且类Y型叉大小形状完全一致。

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