[实用新型]一种多量子阱蓝光探测器

权利要求书

1.一种多量子阱蓝光探测器，其特征在于，包括从下到上依次排布的衬底、缓冲层、GaN/InGaN多量子阱层和金属层电极，缓冲层为从下到上依次排布的AlN层、AlGaN层和GaN层，GaN/InGaN多量子阱层为在缓冲层上表面依次交替生长的GaN层和InGaN层，交替生长的周期为6~8，GaN层的厚度为12~15 nm，InGaN层的厚度为3~5nm。

2.根据权利要求1所述的多量子阱蓝光探测器，其特征在于，衬底为Si衬底。

3.根据权利要求1所述的多量子阱蓝光探测器，其特征在于，缓冲层中AlN层的厚度为300~400 nm。

4.根据权利要求1所述的多量子阱蓝光探测器，其特征在于，缓冲层中AlGaN层的厚度为600~700 nm。

5.根据权利要求1所述的多量子阱蓝光探测器，其特征在于，缓冲层中GaN层的厚度为3~4 μm。

6.根据权利要求1所述的多量子阱蓝光探测器，其特征在于，金属层电极的形状为叉指电极。

7.根据权利要求1所述的多量子阱蓝光探测器，其特征在于，金属层电极为Ti/Ni/Au金属层。

8.根据权利要求7所述的多量子阱蓝光探测器，其特征在于，Ti/Ni/Au金属层为从下到上依次排布的Ti金属层、Ni金属层和Au金属层。

9.根据权利要求8所述的多量子阱蓝光探测器，其特征在于，Ti金属层的厚度为20~30nm，Ni金属层的厚度为100~110nm，Au金属层的厚度为100~110nm。