[实用新型]功率器件和电子设备有效
| 申请号： | 201921229711.0 | 申请日： | 2019-07-31 |
| 公开（公告）号： | CN210403735U | 公开（公告）日： | 2020-04-24 |
| 发明（设计）人： | 陈文高;杨东林;刘侠 | 申请（专利权）人： | 上海昱率科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京中知法苑知识产权代理有限公司 11226 | 代理人： | 李明 |
| 地址： | 201306 上海市浦东新区*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 功率 器件 电子设备 | ||
1.一种功率器件，所述功率器件划分为元胞区、过渡区和终端区，其特征是所述功率器件包括：
衬底；
第一外延层，设置于所述衬底上方；
第二外延层，设置于所述第一外延层上方；
多个体区，设置于所述第二外延层中；
多个元胞区沟槽，设置于元胞区的所述第二外延层中；
多个过渡区沟槽，设置于过渡区的所述第二外延层中；
多个终端区沟槽，设置于终端区的所述第二外延层中；
其中，所述过渡区沟槽底部和终端区沟槽底部的介质层厚度均大于所述元胞区沟槽底部的介质层厚度。
2.根据权利要求1所述的功率器件，其特征是，所述过渡区沟槽下部侧壁和终端区沟槽侧壁上的介质层厚度均大于所述元胞区沟槽下部侧壁上的介质层厚度。
3.根据权利要求1所述的功率器件，其特征是，所述过渡区沟槽下部和终端区沟槽下部的横截面宽度均大于所述元胞区沟槽下部的横截面宽度。
4.根据权利要求1所述的功率器件，其特征是，所述多个过渡区沟槽和所述多个终端区沟槽与所述第二外延层交替排列。
5.根据权利要求1所述的功率器件，其特征是所述功率器件还包括：
栅电极和屏蔽栅电极，设置于所述元胞区沟槽内，所述栅电极位于所述屏蔽栅电极的上方，且通过介质层彼此绝缘。
6.根据权利要求5所述的功率器件，其特征是，所述多个屏蔽栅电极中的部分屏蔽电极和晶体管的源区连接。
7.根据权利要求5所述的功率器件，其特征是，所述栅电极位于所述元胞区沟槽上部内，所述屏蔽栅电极位于所述元胞区沟槽下部内，所述元胞区沟槽上部的横截面宽度大于所述元胞区沟槽下部的横截面宽度。
8.根据权利要求1所述的功率器件，其特征是，所述过渡区沟槽和终端区沟槽的深度大于所述元胞区的深度。
9.根据权利要求1所述的功率器件，其特征是，所述第二外延层的浓度大于所述第一外延层的浓度。
10.一种电子设备，其特征是所述电子设备包括至少部分地由根据权利要求1至9中任意一项所述的功率器件形成的集成电路。
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