[实用新型]一种基于晶闸管结构的浪涌保护阵列

权利要求书

1.一种基于晶闸管结构的浪涌保护阵列，其特征在于，包括P型衬底(1)、N型扩散区(4)和电压调制区(10)；

所述P型衬底(1)的左侧设有第一N型隔离区(2)，所述P型衬底(1)的右侧设有第二N型隔离区(3)；

所述P型衬底(1)底部中心设有N型扩散区(4)，所述P型衬底(1)底部左侧设有第一P型扩散区(5)，所述P型衬底(1)底部右侧设有第二P型扩散区(6)；

所述P型衬底(1)上部中心设有第一N型区(7)，所述P型衬底(1)上部左侧设有第二N型区(8)、所述P型衬底(1)上部右侧设有第三N型区(9)；

所述P型衬底(1)上部右侧设有的电压调制区(10)，所述电压调制区(10)与第一N型区(7)右侧接触连接，所述第二N型区(8)内部设有第一P型区(11)和第五N型区(15)，所述第三N型区(9)内部设有的第二P型区(12)和第四N型区(14)、所述第一N型区(7)内部设有第三P型区(13)；

所述P型衬底(1)内部上表面左侧设有第六N型区(16)、所述P型衬底(1)内部上表面右侧设有第七N型区(17)；

所述P型衬底(1)上表面左侧设有第一金属层(19)、所述P型衬底(1)上表面右侧设有第二金属层(20)、所述P型衬底(1)上表面中部设有第三金属层(21)，所述第一金属层(19)、第二金属层(20)和第三金属层(21)间隙部分设有第一绝缘层(18)；

所述P型衬底(1)下表面中部设有第四金属层(23)，所述第四金属层(23)两侧设有第二绝缘层(22)；

所述第一金属层(19)与第一电极(25)连接，所述第二金属层(20)与第二电极(27)连接，所述第三金属层(21)第三电极(26)连接，所述第四金属层(23)与第四电极(24)连接。

2.根据权利要求1所述的一种基于晶闸管结构的浪涌保护阵列，其特征在于，所述第一N型隔离区(2)与第二N型隔离区(3)的宽度均为50-100μm。

3.根据权利要求1所述的一种基于晶闸管结构的浪涌保护阵列，其特征在于，所述上表面的第三P型区(13)与第一N型区(7)、P型衬底(1)和N型扩散区(4)构成pnpn晶闸管结构。