[实用新型]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，其特征在于，所述半导体装置包括MOSFET和二极管，所述MOSFET和二极管设置在同一半导体层上，所述半导体层具有第一导电类型，所述半导体层具有第一面和与所述第一面相对的第二面，所述半导体层包括碳化硅层，并且包括基底和设置在所述基底上的漂移区；

所述MOSFET包括第一区和第二区，所述第一区包括第一阱区、第一源区、和第一栅区，所述第二区包括第二阱区、第二源区、和第二栅区，所述第一阱区和第二阱区具有第二导电类型，所述第一源区设置在所述第一阱区中并且具有第一导电类型，所述第二源区设置在所述第二阱区中并且具有第一导电类型，所述第一栅区与所述第一源区和第一阱区接触，所述第二栅区与所述第二源区和第二阱区接触；

所述二极管设置在所述第一区和所述第二区之间，所述二极管包括第一肖特基区和第二肖特基区，所述第一肖特基区靠近所述第一区设置，所述第二肖特基区靠近所述第二区设置，所述第一肖特基区包括第一金属区，所述第一金属区设置在所述第一面上并且与所述半导体层形成肖特基接触，所述第二肖特基区包括第二金属区，所述第二金属区设置在所述第一面上并且与所述半导体层形成肖特基接触；

所述半导体装置还包括电场调制区，所述电场调制区设置在所述第一肖特基区与所述第二肖特基区之间，所述电场调制区包括第三金属区和调制掺杂区，所述第三金属区设置在所述第一面上并且夹置在所述第一金属区与所述第二金属区之间，所述调制掺杂区设置在所述半导体层中并且从所述第一面朝向所述第二面的方向延伸，所述调制掺杂区具有第二导电类型，所述调制掺杂区设置在所述第三金属区下方并且与所述第三金属区形成低阻接触，所述调制掺杂区包括第一调制掺杂区和第二调制掺杂区，所述第一调制掺杂区接触所述第二调制掺杂区并且设置在所述第二调制掺杂区和所述第三金属区之间，所述第一调制掺杂区的杂质浓度高于所述第二调制掺杂区的杂质浓度；

所述第一源区、第二源区、第一金属区、第二金属区、以及第三金属区电学连接；

所述半导体装置还包括漏电极区，所述漏电极区设置在所述第二面上并且与所述半导体层形成低阻接触。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，沿所述第一面朝向所述第二面的方向，所述调制掺杂区的深度小于所述第一阱区的深度。

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，沿所述第一面朝向所述第二面的方向，所述调制掺杂区的深度等于所述第一阱区的深度。

4.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述第一阱区的深度在1um至1.5um范围。

5.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，沿所述第一面朝向所述第二面的方向，所述第一调制掺杂区的深度在0.5um至1um范围，所述第二调制掺杂区的深度在0.5um至1um范围。

6.根据权利要求1至5中任一项所述的半导体装置，其特征在于，所述第一阱区包括第一阱接触区，所述第二阱区包括第二阱接触区，所述第一阱接触区和第二阱接触区的杂质浓度与所述第一调制掺杂区的杂质浓度相同，所述第一阱区和第二阱区的杂质浓度与所述第二调制掺杂区的杂质浓度相同。

7.根据权利要求1至5中任一项所述的半导体装置，其特征在于，所述第一导电类型是n型，所述第二导电类型是p型。