[实用新型]基于Si-Pin晶体和塑料闪烁体探测器的γ辐射探测装置

说明书

本实用新型公开了一种基于Si‑Pin晶体和塑料闪烁体探测器的γ辐射探测装置，包括保护筒和设置在保护筒内的信号处理板，信号处理板上集成有控制器、低能辐射信号调理电路和高能辐射信号调理电路，低能辐射信号调理电路包括依次连接的电荷灵敏前置放大电路、反相积分放大器和同相积分放大器，高能辐射信号调理电路包括依次连接的电流前置放大器、电压跟随器、反相放大器和同相放大器，五芯航空插头穿过保护筒后盖与控制器连接。本实用新型在一个探头内安装两种不同类型的探测体，利用低能辐射信号调理电路调理Si‑Pin晶体探测的低能段γ射线，利用高能辐射信号调理电路调理塑料闪烁体探测的高能段γ射线，实现不同功能探测体的探测，节约成本、便携实用。

技术领域

本实用新型属于γ辐射探测技术领域，具体涉及一种基于Si-Pin晶体和塑料闪烁体探测器的γ辐射探测装置。

背景技术

现有技术中区域γ辐射监测仪一般采用GM管或电离室探测器，γ射线能量范围：60keV～3MeV，缺乏能量响应在60keV以下的γ探测器。目前Si-Pin晶体被应用于光电探测器，塑料闪烁体被用于闪烁体探测器，它们均采用单独使用的方式，且针对低能区域γ剂量率监测仪，目前尚没有专门的测量仪表，因此现如今缺少一种能量响应范围宽且体积小的基于Si-Pin晶体和塑料闪烁体探测器的γ辐射探测装置，实现对10keV～3MeVγ射线的测量。

实用新型内容

本实用新型所要解决的技术问题在于针对上述现有技术中的不足，提供一种基于Si-Pin晶体和塑料闪烁体探测器的γ辐射探测装置，其设计新颖合理，在一个探头内安装两种不同类型的探测体，利用低能辐射信号调理电路调理Si-Pin晶体探测的低能段γ射线，利用高能辐射信号调理电路调理塑料闪烁体探测的高能段γ射线，实现不同功能探测体的探测，节约成本、便携实用，便于推广使用。

为解决上述技术问题，本实用新型采用的技术方案是：基于Si-Pin晶体和塑料闪烁体探测器的γ辐射探测装置，其特征在于：包括保护筒、与保护筒配合的保护筒后盖、设置在保护筒内的探测处理组件和设置在保护筒后盖上的五芯航空插头，所述探测处理组件包括探测器和安装在所述探测器底部且对探测器探测信号进行处理的信号处理板，所述探测器包括探测器管以及安装在探测器管内的塑料闪烁体和对所述塑料闪烁体光信号进行光电转换的光电倍增管，所述塑料闪烁体的顶端安装有碳纤维板，碳纤维板的顶端设置有Si-Pin晶体，Si-Pin晶体的顶端设置有铍窗，所述信号处理板上集成有控制器以及均与控制器信号输入端连接的低能辐射信号调理电路和高能辐射信号调理电路，所述低能辐射信号调理电路包括依次连接的电荷灵敏前置放大电路、反相积分放大器和同相积分放大器，所述高能辐射信号调理电路包括依次连接的电流前置放大器、电压跟随器、反相放大器和同相放大器，五芯航空插头穿过保护筒后盖与控制器连接，Si-Pin晶体通过第一导线与电荷灵敏前置放大电路连接，光电倍增管通过第二导线与电流前置放大器连接。