[实用新型]一种改进型交流漏电保护电路

权利要求书

1.一种改进型交流漏电保护电路，包括电流保护电路、整流电路、电压保护电路、可控硅电路、降压电路、滤波电路和漏电流检测电路，所述电流保护电路包括分别串联在三相电源中的电阻RM1、RM2、RM3，所述电阻RM1、RM2之间并联压敏电阻RV101，所述电阻RM1、RM3之间并联压敏电阻RV103，所述电阻RM2、RM3之间并联压敏电阻RV102，其特征在于，还包括三相漏电电流一致电路，所述三相漏电电流一致电路包括零序互感器、二极管D111和二极管D112，所述二极管D111、二极管D112和零序互感器负绕组串联；所述漏电流检测电路包括与零序互感器主绕组并联的电阻R114和漏电保护芯片，所述电阻R114上并联有钳位二极管D110，所述电阻R114两端与漏电保护芯片的2号输入信号管脚和3号管脚相连，所述电阻R114两端与2号输入信号管脚和3号管脚之间分别串联有电阻R113和电阻R115。

2.根据权利要求1所述的一种改进型交流漏电保护电路，其特征在于，所述可控硅电路包括可控硅芯片CR101、CR102、电容C105、二极管D109，电阻R110和R112，所述可控硅芯片CR101上阳极端与电压保护电路输出端相连，所述可控硅芯片CR101下阴极端与可控硅芯片CR102上阳极端相连，所述可控硅芯片CR101控制端还与滤波电路输入端相连，所述电阻R110和二极管D109串联在CR101控制端与滤波电路输入端之间，所述电容C105和电阻R112并联在可控硅芯片CR102的控制极端和下阴极端，所述可控硅芯片CR101控制极端串联在电压保护电路输出端，所述可控硅芯片CR102控制端漏电保护芯片的7号管脚相连。

3.根据权利要求2所述的一种改进型交流漏电保护电路，其特征在于，所述漏电流检测电还包括电容C104、C111、C110、C106和C109，所述电容C110两端与漏电保护芯片的2号输入信号管脚和3号管脚相连，所述电容C111两端分别与漏电保护芯片的2号输入信号管脚和1号管脚相连，所述电容C109连接在漏电保护芯片的1号管脚和3号管脚之间，所述电容C106和C104连接在漏电保护芯片的5号管脚和6号管脚之间。

4.根据权利要求2所述的一种改进型交流漏电保护电路，其特征在于，所述滤波电路包括电容C103和电解电容C101，所述电解电容C101正极端与降压电路的输出端相连，所述电解电容C101负极端通过电解电容C101与可控硅芯片CR101控制端相连。

5.根据权利要求2所述的一种改进型交流漏电保护电路，其特征在于，所述整流电路包括二极管D101、D102、D103、D104、D106、D107、D108，所述二极管D102、D103、D104输出端相连后与电压保护电路输入端相连，所述二极管D106、D107、D108输入端相连后与可控硅输出端相连，所述二极管D102输入端、二极管D106输出端相连后和串联有RM1的电源相相连，所述二极管D103输入端、二极管D107输出端相连后和串联有RM2的电源相相连，所述二极管D104输入端、二极管D108输出端相连后和串联有RM3的电源相相连；所述电压保护电路包括脱扣器L1，所述脱扣器L1输入端与D102、D103、D104输出端相连，所述脱扣器L1输出端与可控硅电路输入端相连，所述二极管D101输入端与脱扣器L1输出端相连后与可控硅电路输入端相连，所述二极管D101输出端与脱扣器L1输入端相连后与D102、D103、D104输出端相连，所述二极管D101输出端与脱扣器L1输入端相连后与降压电路输入端相连。

6.根据权利要求2所述的一种改进型交流漏电保护电路，其特征在于，所述降压电路包括电阻R101、R105、R102、R106、R103、R107、R104、R108，所述电阻R101、R105并联后与电压保护电路输出端相连，所述R101和R105并联后、R102和R106并联后、R103和R107并联后、R104和R108并联后依次串联，所述电阻R104和R108并联后与滤波电路的输入端相连。