[实用新型]耐高温减反射膜有效
| 申请号： | 201921251289.9 | 申请日： | 2019-07-31 |
| 公开（公告）号： | CN211017093U | 公开（公告）日： | 2020-07-14 |
| 发明（设计）人： | 闪雷雷;朱小康 | 申请（专利权）人： | 深圳陆鼎光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0216 | 分类号： | H01L31/0216 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市宝安区*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 耐高温 减反射膜 | ||
【权利要求书】：
1.一种耐高温减反射膜，其特征在于，其包括基片、至少两层二氧化钛涂层和至少两层二氧化硅/三氧化二铝涂层；所述二氧化钛涂层与所述二氧化硅/三氧化二铝涂层交替沉积于所述基片的正面上，且所述二氧化硅/三氧化二铝涂层靠近所述基片；所述二氧化钛涂层与所述二氧化硅/三氧化二铝涂层交替沉积于所述基片的反面上，且所述二氧化硅/三氧化二铝涂层靠近所述基片。
2.根据权利要求1所述的耐高温减反射膜，其特征在于，所述二氧化硅涂层的总层数为六层，所述二氧化硅/三氧化二铝涂层的总层数为六层。
3.根据权利要求1所述的耐高温减反射膜，其特征在于，所述基片的正面或反面上的所述二氧化钛涂层和所述二氧化硅/三氧化二铝涂层的总厚度不超过250nm。
4.根据权利要求1所述的耐高温减反射膜，其特征在于，其还包括一层疏水防污涂层，所述疏水防污涂层沉积于距离所述基片最远的二氧化硅涂层或距离所述基片最远的所述二氧化硅/三氧化二铝涂层上。
5.根据权利要求4所述的耐高温减反射膜，其特征在于，所述疏水防污涂层的厚度为20nm。
6.根据权利要求1所述的耐高温减反射膜，其特征在于，所述基片为PC塑料镜片。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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