[实用新型]低温超导射频同轴半硬电缆有效
| 申请号： | 201921257607.2 | 申请日： | 2019-08-05 |
| 公开（公告）号： | CN211182477U | 公开（公告）日： | 2020-08-04 |
| 发明（设计）人： | 唐元阳;朱云川 | 申请（专利权）人： | 昆山安胜达微波科技有限公司;南京达迈科技实业有限公司;南京乾海通讯技术有限公司 |
| 主分类号： | H01P3/06 | 分类号： | H01P3/06 |
| 代理公司： | 北京科亿知识产权代理事务所(普通合伙) 11350 | 代理人： | 汤东凤 |
| 地址： | 215000 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 低温 超导 射频 同轴 电缆 | ||
【权利要求书】：
1.一种低温超导射频同轴半硬电缆，包括内导体、介质层和外导体，其特征在于：所述内导体和外导体采用铍铜、青铜、不变钢或含铌材料制成，所述外导体为无缝金属管结构。
2.根据权利要求1所述的低温超导射频同轴半硬电缆，其特征在于：所述含铌材料为纯铌、铌钛合金、不变钢表面镀铌或不变钢表面镀铌钛合金。
3.根据权利要求1所述的低温超导射频同轴半硬电缆，其特征在于：所述介质层的材料为PTFE、PFA、FEP、HDPE或PP中的一种。
4.根据权利要求3所述的低温超导射频同轴半硬电缆，其特征在于：所述介质层采用固体实心结构或通过发泡制成。
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