[实用新型]一种掉电检测保护电路

权利要求书

1.一种掉电检测保护电路，其用于对包含MCU（1）的负载进行不间断供电，包括电源（2），其特征在于，还包括：

连接在电源输出端的法拉电容；

检测法拉电容电压且控制法拉电容进行充电的检测控制电路；

连接在法拉电容和负载之间，且用于接收MCU发出的控制信号，将法拉电容输出的电压进行升压并输出给负载的效能提高电路（3）；以及

连接在电源与负载之间，用于检测电源是否掉电并传输掉电信号给MCU的掉电检测电路（4）。

2.根据权利要求1所述的掉电检测保护电路，其特征在于：所述检测控制电路包括：

电量检测电路（5），其连接在法拉电容和负载之间，且用于检测法拉电容电压；

充电控制电路（6），其连接在电源和法拉电容之间，接收MCU发出的充电控制信号且用于为法拉电容充电。

3.根据权利要求2所述的掉电检测保护电路，其特征在于：所述MCU具有电量检测引脚（ADC0），所述电量检测电路包括电阻R7、稳压管D6、电阻R14、电容C2，所述稳压管D6、电阻R14、电容C2并联且一端通过电阻R7连接到法拉电容上，另一端接地，所述电容C2的远地端与电量检测引脚（ADC0）相连。

4.根据权利要求2所述的掉电检测保护电路，其特征在于：所述MCU具有充电控制引脚（CF_CON），所述充电控制电路包括二极管D4、三极管Q4、场效应管Q3以及与电源相连的DC-DC变换器；所述三极管Q4的集电极与场效应管Q3的栅极通过电阻R9相连，三极管Q4的基极与充电控制引脚（CF_CON）通过电阻R11相连，且三极管Q4的发射极接地；所述场效应管Q3的漏极通过电阻R5与法拉电容相连，场效应管Q3的源极与通过二极管与DC-DC变换器相连，所述场效应管Q3的源极和栅极通过电阻R6相连；所述二极管能够沿DC-DC变换器到场效应管Q3的源极方向导通。

5.根据权利要求1所述的掉电检测保护电路，其特征在于：所述MCU具有掉电检测引脚（PowDet），所述掉电检测电路包括PNP型三极管Q1和NPN型三极管Q2，所述PNP型三极管Q1的发射极通过电阻R2与电源相连，PNP型三极管Q1的基极通过电阻R3与电源相连，且PNP型三极管Q1的集电极接地，所述PNP型三极管Q1的集电极与基极并联有稳压管D1；所述NPN型三极管Q2的基极与PNP型三极管的发射极通过电阻R4相连，NPN型三极管Q2的集电极通过电阻R1与5V电源相连且发射极接地，所述NPN型三极管Q2的基极与其发射极并联有稳压管D2，所述NPN型三极管Q2的集电极与MCU的掉电检测引脚（PowDet）相连。