[实用新型]一种应用于高电子迁移率晶体管的缓冲层结构和材料结构有效
| 申请号： | 201921265321.9 | 申请日： | 2019-08-05 |
| 公开（公告）号： | CN210349843U | 公开（公告）日： | 2020-04-17 |
| 发明（设计）人： | 张杨;李弋洋 | 申请（专利权）人： | 中科芯电半导体科技（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/06;H01L29/10 |
| 代理公司： | 北京同辉知识产权代理事务所(普通合伙) 11357 | 代理人： | 郑鑫圆 |
| 地址： | 100076 北京市大兴区西红*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 应用于 电子 迁移率 晶体管 缓冲 结构 材料 | ||
【权利要求书】：
1.一种应用于高电子迁移率晶体管的缓冲层结构，在衬底上生长成型，其特征在于，所述缓冲层结构包括自衬底依次生长的第一InAlSb缓冲层、InAlSb-Be电子隔离层、第二InAlSb缓冲层和InAlSb/InSb超晶格缓冲层。
2.根据权利要求1所述的缓冲层结构，其特征在于，所述第一InAlSb缓冲层厚度为200-500nm。
3.根据权利要求1所述的缓冲层结构，其特征在于，所述InAlSb-Be电子隔离层Be元素掺杂浓度为2E17～6E17cm-3。
4.一种高电子迁移率晶体管材料结构，其特征在于，该高电子迁移率晶体管材料结构包括依次布置的衬底、如权利要求1至3任一所述的缓冲层结构、InSb HEMT材料层。
5.根据权利要求4所述的高电子迁移率晶体管材料结构，其特征在于，所述衬底为Si衬底。
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