[实用新型]一种碳化硅结势垒肖特基二极管

权利要求书

1.一种碳化硅结势垒肖特基二极管，其特征在于，具有如下结构：

包括SiC衬底（1），该衬底的材料掺杂类型为第一导电类型；

在SiC衬底（1）上具有SiC外延层（2），该外延层的材料掺杂类型为第一导电类型；

在SiC外延层（2）上端表面，制作有第一导电类型的有源区（3）和第二导电类型的注入区（4）；

同时SiC衬底（1）底部背面覆盖有欧姆接触电极（8），SiC第一导电类型有源区（3）和第二导电类型注入区（4）表面设有肖特基接触电极（7），在所述的肖特基电极（7）边缘设有钝化层（6），在钝化层（6）下制作有结终端（5）。

2. 根据权利要求1所述的一种碳化硅结势垒肖特基二极管，其特征在于，所述第一导电类型的有源区（3）内设有多个掺杂有第二导电类型的注入区（4），其深度为0.1μm~2μm，其浓度为5×10¹⁶cm^-3~ 5×10²² cm^-3，相邻第二导电类型的注入区（4）注入最大间距不超过10μm。

3.根据权利要求1所述的一种碳化硅结势垒肖特基二极管，其特征在于，所述第一导电类型的有源区（3）的深度大第二导电类型的于注入区（4）的深度且小于SiC外延层（2）厚度的一半，其浓度大于该外延层浓度。

4.根据权利要求1所述的一种碳化硅结势垒肖特基二极管，其特征在于，所述的肖特基接触电极（7）制备材料为Ti、TiN、TaN、W、Ni、Pt、Si、Al或Mo任意一种或多种的组合。

5.根据权利要求1所述的一种碳化硅结势垒肖特基二极管，其特征在于，所述欧姆接触电极（8）可为Ti、Ni、Ag或Au任意一种或多种的组合。

6.根据权利要求1所述的一种碳化硅结势垒肖特基二极管，其特征在于，所述SiC衬底（1）的材料掺杂浓度为1×10¹⁸cm^-3~ 1×10²⁰ cm^-3，SiC外延层（2）浓度为1×10¹⁴cm^-3~ 1×10¹⁷ cm^-3。

7.根据权利要求1所述的一种碳化硅结势垒肖特基二极管，其特征在于，所述第一导电类型为N型，所述第二导电类型为P型。

8.根据权利要求1所述的一种碳化硅结势垒肖特基二极管，其特征在于，所述第一导电类型为P型，所述第二导电类型为N型。

9.根据权利要求1所述的一种碳化硅结势垒肖特基二极管，其特征在于，所述肖特基接触电极（7）边缘和第一导电类型的有源区（3）边缘均落在第二导电类型的注入区（4）的内部。