[实用新型]BMS主动均衡驱动电路有效
| 申请号： | 201921268031.X | 申请日： | 2019-08-07 |
| 公开（公告）号： | CN210838971U | 公开（公告）日： | 2020-06-23 |
| 发明（设计）人： | 袁海涛;朱雄伟 | 申请（专利权）人： | 江苏赣锋动力科技有限公司 |
| 主分类号： | H02J7/00 | 分类号： | H02J7/00 |
| 代理公司： | 南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32256 | 代理人： | 王茹 |
| 地址： | 215000 江苏省苏州市中国(江苏)自由贸易试验区*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | bms 主动 均衡 驱动 电路 | ||
1.一种BMS主动均衡驱动电路，其特征在于，所述驱动电路包括：
电池组及中转电池，所述电池组包括若干串联设置的电池内芯，中转电池的负极接地；
若干MOS管开关矩阵，包括若干与电池内芯和中转电池相连的MOS管；
MOS管驱动电压源，与MOS管相连，用于驱动MOS管；
若干均衡驱动开关，电性连接于MOS管驱动电压源与MOS管之间。
2.根据权利要求1所述的BMS主动均衡驱动电路，其特征在于，所述MOS管为NMOS管。
3.根据权利要求1所述的BMS主动均衡驱动电路，其特征在于，所述MOS管开关矩阵包括连接于电池内芯正极与中转电池正极之间的第一MOS管和第二MOS管、以及连接于电池内芯负极与中转电池负极之间的第三MOS管和第四MOS管。
4.根据权利要求3所述的BMS主动均衡驱动电路，其特征在于，所述MOS管开关矩阵中：
第一MOS管的源极与电池内芯正极相连，第一MOS管的栅极与MOS管驱动电压源的正极相连，第一MOS管的漏极与第二MOS管的漏极相连，第二MOS管的栅极与MOS管驱动电压源的正极相连，第二MOS管的源极与中转电池的正极相连；
第三MOS管的源极与电池内芯负极相连，第三MOS管的栅极与MOS管驱动电压源的正极相连，第三MOS管的漏极与第四MOS管的漏极相连，第四MOS管的栅极与MOS管驱动电压源的正极相连，第四MOS管的源极与中转电池的负极相连。
5.根据权利要求4所述的BMS主动均衡驱动电路，其特征在于，所述均衡驱动开关设于MOS管驱动电压源的正极与MOS管开关矩阵之间。
6.根据权利要求5所述的BMS主动均衡驱动电路，其特征在于，所述均衡驱动开关与第一MOS管、第二MOS管、第三MOS管及第四MOS管的栅极之间分别设有肖特基二极管。
7.根据权利要求5所述的BMS主动均衡驱动电路，其特征在于，所述均衡驱动开关与第一MOS管、第二MOS管、第三MOS管及第四MOS管的栅极之间分别设有限流电阻，第一MOS管、第二MOS管、第三MOS管及第四MOS管的栅极与源极之间分别并联设有泄放电阻。
8.根据权利要求1所述的BMS主动均衡驱动电路，其特征在于，所述MOS管的开启电压VGS为10～15V。
9.根据权利要求1所述的BMS主动均衡驱动电路，其特征在于，所述MOS管驱动电压源的电压高于电池电芯电压5～15V。
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