[实用新型]一种具有负载动态检测的自适应电压跟随放大电路

权利要求书

1.一种具有负载动态检测的自适应电压跟随放大电路，其特征在于，包括误差放大器电路(31)、第一比例电流镜电路(32)、第二比例电流镜电路(33)、欠冲检测单元(34)、电流偏置电路(35)以及负载电容(C0)；所述电流偏置电路(35)连接有电路输出电压(Vout)；

所述误差放大器电路(31)包括差分对，所述差分对的一输入端与电路输入电压(Vin)相连、所述差分对的另一输入端与所述电路输出电压(Vout)相连，构成单位增益的电压跟随器结构。

2.根据权利要求1所述的自适应电压跟随放大电路，其特征在于，所述误差放大器电路(31)还包括电流镜负载的PMOS管M3和PMOS管M4、电流镜偏置的NMOS管M8和NMOS管M9；所述差分对包括NMOS管M1和NMOS管M2；

所述第一比例电流镜电路(32)包括PMOS管M5和PMOS管M7；

所述第二比例电流镜电路(33)包括PMOS管M6和PMOS管M7，所述PMOS管M6的栅极与所述PMOS管M7的栅极及所述PMOS管M7的栅极均连接；

所述电流偏置电路(35)包括PMOS管M10、PMOS管M11、PMOS管M12、PMOS管M13、NMOS管M14、NMOS管M15以及NMOS管M16；所述PMOS管M10的栅极与所述PMOS管M11的栅极及所述PMOS管M12的栅极均连接，所述NMOS管M14的栅极与所述NMOS管M15的栅极及所述NMOS管M16的栅极均连接。

3.根据权利要求2所述的自适应电压跟随放大电路，其特征在于，所述NMOS管M1的栅极与所述电路输入电压(Vin)相连，所述NMOS管M1的漏极与所述PMOS管M3的漏极连接、以及与所述PMOS管M3的栅极和所述PMOS管M4的栅极均连接，所述NMOS管M8的漏极与所述NMOS管M1的源极及所述NMOS管M2的源极均连接；所述NMOS管M2的栅极与所述电路输出电压(Vout)相连，进而所述电路输出电压(Vout)等于电路输入电压(Vin)。

4.根据权利要求3所述的自适应电压跟随放大电路，其特征在于，所述PMOS管M3的源极、所述PMOS管M4的源极、PMOS管M5的源极、PMOS管M6的源极、PMOS管M7的源极、PMOS管M10的源极、PMOS管M11的源极、PMOS管M12的源极均与电路供电电压(Vdd)连接；

所述NMOS管M8的源极、NMOS管M9的源极、NMOS管M14的源极、NMOS管M15的源极以及NMOS管M16的源极均接地；

所述电路输出电压(Vout)与所述PMOS管M7的漏极及所述NMOS管M16的漏极均连接；

所述负载电容(C0)一极板接地、另一极板连接于所述PMOS管M2的栅极及所述电路输出电压(Vout)之间。

5.根据权利要求1所述的自适应电压跟随放大电路，其特征在于，所述误差放大器电路(31)还包括电流镜负载的PMOS管M3和PMOS管M4、电流镜偏置的NMOS管M8和NMOS管M9；所述差分对包括NMOS管M1和NMOS管M2；

所述第一比例电流镜电路(32)包括PMOS管M5和PMOS管M7；

所述第二比例电流镜电路(33)包括PMOS管M6和PMOS管M7；

所述电流偏置电路(35)包括PMOS管M10、PMOS管M11、PMOS管M12、PMOS管M13、NMOS管M14、NMOS管M15以及比例电阻R1和比例电阻R2；

所述比例电阻R1一端与所述PMOS管M7的漏极连接，所述比例电阻R1另一端与所述比例电阻R2一端连接，所述比例电阻R2另一端与所述NMOS管M9的源极及所述NMOS管M15的源极均连接至地；

所述NMOS管M2的栅极连接于所述比例电阻R1和比例电阻R2之间；

所述负载电容(C0)一极板接地、另一极板连接于所述电路输出电压(Vout)及第一电容(C1)之间。

6.根据权利要求5所述的自适应电压跟随放大电路，其特征在于，所述电路输出电压(Vout)与所述电路输入电压(Vin)之间的关系为：