[实用新型]一种兼容大尺寸硅片的PECVD石墨载板有效
| 申请号： | 201921270916.3 | 申请日： | 2019-08-07 |
| 公开（公告）号： | CN211079326U | 公开（公告）日： | 2020-07-24 |
| 发明（设计）人： | 王茜茜;职森森;刘晓瑞;周浩;吴仕梁;路忠林;张凤鸣 | 申请（专利权）人： | 江苏日托光伏科技股份有限公司 |
| 主分类号： | C23C16/458 | 分类号： | C23C16/458;C23C16/50 |
| 代理公司： | 南京乐羽知行专利代理事务所(普通合伙) 32326 | 代理人： | 李玉平 |
| 地址： | 214028 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 兼容 尺寸 硅片 pecvd 石墨 | ||
【权利要求书】：
1.一种兼容大尺寸硅片的PECVD石墨载板，石墨载板的石墨框上设有多个用于承载硅片的框格，框格为内部镂空的正方形边框结构，四个边框内侧结构形状相同，其特征在于：每个边框均设有阶梯状的多个台阶，相邻的两个台阶间的连接面为斜面，水平的台阶面和为斜面的连接面均为用于搭载硅片的承载台。
2.如权利要求1所述的兼容大尺寸硅片的PECVD石墨载板，其特征在于：所述边框内侧设有上下两个台阶，两个台阶间的连接面为斜面，两个台阶面和斜面均为承载台。
3.如权利要求1所述的兼容大尺寸硅片的PECVD石墨载板，其特征在于：所述斜面的斜度为100°-140°。
4.如权利要求2所述的兼容大尺寸硅片的PECVD石墨载板，其特征在于：令与上台阶垂直的边框内侧壁为第一侧壁，则两个相对的第一侧壁的间距不小于202mm。
5.如权利要求2所述的兼容大尺寸硅片的PECVD石墨载板，其特征在于：令与下台阶垂直的边框内侧壁为第二侧壁，则两个相对的第二侧壁的间距不小于155mm。
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
