[实用新型]一种高功率高效率的毫米波功率放大器

权利要求书

1.一种高功率高效率的毫米波功率放大器，其特征在于，包括输入功分移相补偿网络、第一差分堆叠放大网络、第二差分堆叠放大网络以及输出双差分转单端合成网络；

所述输入功分移相补偿网络的输入端为整个所述毫米波功率放大器的输入端，其第一输出端与所述第一差分堆叠放大网络的输入端连接，其第二输出端与所述第二差分堆叠放大网络的输入端连接；

所述第一差分堆叠放大网络的第一输出端和第二输出端分别与所述输出双差分转单端合成网络的第一输入端和第二输入端连接；所述第二差分堆叠放大网络的第一输出端和第二输出端分别与所述输出双差分转单端合成网络的第三输入端和第四输入端连接；

所述输出双差分转单端合成网络的输出端为整个所述毫米波功率放大器的输出端。

2.根据权利要求1所述的一种高功率高效率的毫米波功率放大器，其特征在于，所述输入功分移相补偿网络的输入端和第一输出端之间通过微带线T_L1、T_L2和T_L3顺次串接，所述输入功分移相补偿网络的输入端和第二输出端之间通过微带线T_L4、T_L5和T_L6顺次串接，T_L2和T_L3的连接节点与T_L5和T_L6的连接节点之间串联电阻R₁。

3.根据权利要求1所述的一种高功率高效率的毫米波功率放大器，其特征在于，所述第一差分堆叠放大网络、第二差分堆叠放大网络的输入端连接变压器T_j的初级线圈的同名端，T_j的初级线圈的非同名端接地，变压器T_j的次级线圈的同名端连接电容C_pj,变压器T_j的次级线圈的非同名端连接电容C_sj,电容C_pj的另一端连接场效应晶体管M_pj的栅极和电感L_pj,电感L_pj的另一端连接偏置电压V_g和接地电容C_mj；场效应晶体管M_pj的源极接地,M_pj的漏极连接场效应晶体管M_qj的源极，场效应晶体管M_qj的栅极连接电阻R_qj和接地电容C_qj,电阻R_qj的另一端连接电阻R_pj和接地电阻R_oj,电阻R_pj的另一端连接场效应晶体管M_qj的漏极；电容C_sj的另一端连接场效应晶体管M_sj的栅极和电感L_sj,电感L_sj的另一端连接偏置电压V_g和接地电容C_nj；场效应晶体管M_sj的源极接地,M_sj的漏极连接场效应晶体管M_tj的源极，场效应晶体管M_tj的栅极连接电阻R_tj和接地电容C_tj,电阻R_tj的另一端连接电阻R_sj和接地电阻R_rj,电阻R_sj的另一端连接场效应晶体管M_qj的漏极,场效应晶体管M_qj的漏极连接第一差分堆叠放大网络、第二差分堆叠放大网络的第一输出端，场效应晶体管M_tj的漏极连接第一差分堆叠放大网络、第二差分堆叠放大网络的第二输出端，其中，j＝1和2。

4.根据权利要求1所述的一种高功率高效率的毫米波功率放大器，其特征在于，所述输出双差分转单端合成网络包括依次耦合的变压器T₃和T₄，变压器T₃次级线圈的同名端和变压器T₄次级线圈的非同名端通过电容C_out1连接，变压器T₄次级线圈的中间抽头点连接电感L_vd2,电感L_vd2的另一端连接接地电容C_vd2和偏置电压V_d；变压器T₄次级线圈的同名端和变压器T₃次级线圈的非同名端通过电容C_out2连接，变压器T₃次级线圈的中间抽头点连接电感L_vd1,电感L_vd1的另一端连接接地电容C_vd1和偏置电压V_d；同时变压器T₃的初级线圈的同名端连接所述输出双差分转单端合成网络的输出端，变压器T₄的初级线圈的同名端连接变压器T₃的初级线圈的非同名端，变压器T₄的初级线圈的非同名端接地；变压器T₃的次级线圈的同名端和非同名端连接所述输出双差分转单端合成网络的第一输入端、第二输入端，变压器T₄的次级线圈的非同名端和同名端连接所述输出双差分转单端合成网络的第三输入端、第四输入端。