[实用新型]一种新型激光掺杂选择性发射极图案有效
| 申请号： | 201921272061.8 | 申请日： | 2019-08-07 |
| 公开（公告）号： | CN210110822U | 公开（公告）日： | 2020-02-21 |
| 发明（设计）人： | 杨飞飞;鲁贵林;赵科巍;张波;张尧;吕爱武;杜泽霖;李陈阳;郭丽;郭卫;董建明;邓铭 | 申请（专利权）人： | 山西潞安太阳能科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;B23K26/70;B23K26/362 |
| 代理公司： | 太原市科瑞达专利代理有限公司 14101 | 代理人： | 李富元 |
| 地址： | 046000 山*** | 国省代码： | 山西;14 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 新型 激光 掺杂 选择性 发射极 图案 | ||
【权利要求书】：
1.一种新型激光掺杂选择性发射极图案，其特征在于：正面激光图栅线数量为106，其中相邻线距为1.4762mm，每根线为镂空虚线，其中实线部分长为0.6mm,虚线部分长为0.12mm，另外相邻两根图栅线的镂空虚线之间交错相间，相间距离为0.3mm。
2.根据权利要求1所述的一种新型激光掺杂选择性发射极图案，其特征在于：激光光斑边长0.12mm，间距0.015mm。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
