[实用新型]大板扇出型双面天线封装结构有效

专利信息
申请号: 201921283980.5 申请日: 2019-08-08
公开(公告)号: CN210245482U 公开(公告)日: 2020-04-03
发明(设计)人: 崔成强;姚颍成;林挺宇 申请(专利权)人: 广东芯华微电子技术有限公司
主分类号: H01L23/31 分类号: H01L23/31;H01L21/56;H01Q1/22
代理公司: 广州鼎贤知识产权代理有限公司 44502 代理人: 刘莉梅
地址: 528225 广东省佛山市南海区狮山镇南*** 国省代码: 广东;44
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 大板扇出型 双面 天线 封装 结构
【权利要求书】:

1.一种大板扇出型双面天线封装结构,其特征在于,包括:

载板,沿其厚度方向具有相对的第一面和第二面;

若干半导体芯片,若干所述半导体芯片的背面分别通过剥离层贴附于所述载板的第一面和第二面;

封装层,位于所述载板的第一面和第二面并覆盖所述半导体芯片,所述半导体芯片的正面外露于所述封装层;

传输层、布线层和天线层,位于所述封装层远离所述载板的一侧,所述传输层的一侧与所述封装层和所述半导体芯片的正面电性连接,另一侧与所述布线层和所述天线层电性连接,所述布线层具有焊盘区和非焊盘区;

阻焊层,位于所述封装层远离所述载板的一侧并覆盖所述天线层和所述布线层的非焊盘区的外部;

金属凸块,与所述布线层的焊盘区焊接。

2.根据权利要求1所述的大板扇出型双面天线封装结构,其特征在于,所述半导体芯片包括裸芯片、位于所述裸芯片内的I/O端和凸设于所述裸芯片外并与所述I/O端电性连接的连接柱,所述连接柱远离所述裸芯片的一端平行于所述封装层的表面并与所述传输层连接。

3.根据权利要求1所述的大板扇出型双面天线封装结构,其特征在于,所述传输层包括贴于所述封装层上的介电层和附着于所述介电层上的种子层,所述介电层沿其厚度方向具有使所述半导体芯片的连接柱外露的过孔,所述种子层延伸至所述过孔内与所述连接柱电性连接。

4.根据权利要求3所述的大板扇出型双面天线封装结构,其特征在于,所述种子层包括位于所述封装层远离所述载板一侧的钛金属层和位于所述钛金属层上的铜金属层。

5.根据权利要求4所述的大板扇出型双面天线封装结构,其特征在于,所述钛金属层的厚度为85~125nm。

6.根据权利要求4所述的大板扇出型双面天线封装结构,其特征在于,所述铜金属层的厚度为275~325nm。

7.根据权利要求1所述的大板扇出型双面天线封装结构,其特征在于,所述天线层的厚度小于所述布线层的厚度。

8.根据权利要求1所述的大板扇出型双面天线封装结构,其特征在于,所述布线层的焊盘区与所述阻焊层之间具有间隙。

9.根据权利要求1所述的大板扇出型双面天线封装结构,其特征在于,所述阻焊层为感光油墨层。

10.根据权利要求1所述的大板扇出型双面天线封装结构,其特征在于,所述封装层为环氧树脂封装层。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于广东芯华微电子技术有限公司,未经广东芯华微电子技术有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201921283980.5/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top