[实用新型]一种MEMS磁传感器的电连接结构及MEMS磁传感器

说明书

本实用新型涉及一种MEMS磁传感器的电连接结构及MEMS磁传感器，包括衬底以及位于衬底上的磁阻；还包括位于磁阻外表面的金属保护层；所述金属保护层经过图形化形成磁阻上表面的第一引线部，所述磁阻的电信号通过第一引线部引出。本实用新型的电连接结构，第一引线部形成在磁阻的顶面，这样可以提高第一引线部与磁阻的接触面积，保证了二者导通的稳定性。

技术领域

本实用新型涉及传感领域，更具体地，本实用新型涉及一种MEMS磁传感器中磁阻的电连接结构；本实用新型还涉及一种MEMS磁传感器。

背景技术

MEMS磁传感器是一种基于MEMS工艺制造的磁传感器，磁阻是其中重要的部件，该磁阻的电信号需要通过引线引出，并在此传感器裸露的位置形成用于外接的焊盘。

现有的结构中，通常将引线连接在磁阻的侧壁位置，采用这种侧壁导通的方式，引线与磁阻的接触面不会很大，容易生成的空隙/缺陷可能导致产量和可靠性问题。

实用新型内容

本实用新型的一个目的是提供了一种MEMS磁传感器的电连接结构。

根据本实用新型的一个方面，提供一种MEMS磁传感器的电连接结构，包括衬底以及位于衬底上的磁阻；还包括位于磁阻外表面的金属保护层；所述金属保护层经过图形化形成位于磁阻上表面的第一引线部，所述磁阻的电信号通过第一引线部引出。

可选地，所述磁阻的各层结构形成之后，在其外表面氧化前沉积金属保护层。

可选地，所述金属保护层、磁阻的各层结构在同一腔体内依次直接形成。

可选地，所述金属保护层、磁阻的各层结构在同一PVD腔体内依次直接形成。

可选地，还包括将第一引线部、磁阻覆盖在衬底上的钝化层；所述钝化层上对应第一引线部的位置设置有通孔，还包括位于钝化层上的第二引线部，所述第二引线部通过所述通孔与第一引线部导通。

可选地，所述钝化层为氮化硅。

可选地，在所述磁阻与衬底之间还设置有介电层。

可选地，所述介电层为氧化硅。

根据本实用新型的另一方面，还提供了一种MEMS磁传感器，包括上述的电连接结构。

本实用新型的电连接结构，第一引线部形成在磁阻的顶面，这样可以提高第一引线部与磁阻的接触面积，保证了二者导通的稳定性。

通过以下参照附图对本实用新型的示例性实施例的详细描述，本实用新型的其它特征及其优点将会变得清楚。

附图说明

构成说明书的一部分的附图描述了本实用新型的实施例，并且连同说明书一起用于解释本实用新型的原理。

图1至图4是本实用新型电连接结构的工艺流程图。

图5是本实用新型电连接结构的示意图。

具体实施方式

现在将参照附图来详细描述本实用新型的各种示例性实施例。应注意到：除非另外具体说明，否则在这些实施例中阐述的部件和步骤的相对布置、数字表达式和数值不限制本实用新型的范围。

以下对至少一个示例性实施例的描述实际上仅仅是说明性的，决不作为对本实用新型及其应用或使用的任何限制。

对于相关领域普通技术人员已知的技术和设备可能不作详细讨论，但在适当情况下，所述技术和设备应当被视为说明书的一部分。

在这里示出和讨论的所有例子中，任何具体值应被解释为仅仅是示例性的，而不是作为限制。因此，示例性实施例的其它例子可以具有不同的值。