[实用新型]一种电压可调的双向ESD保护器件有效
| 申请号： | 201921284851.8 | 申请日： | 2019-08-09 |
| 公开（公告）号： | CN210467836U | 公开（公告）日： | 2020-05-05 |
| 发明（设计）人： | 杨珏琳;宋文龙;张鹏 | 申请（专利权）人： | 成都吉莱芯科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02;H01L29/732;H01L21/331 |
| 代理公司： | 南京正联知识产权代理有限公司 32243 | 代理人： | 卢海洋 |
| 地址： | 610000 四川省成都市自由贸易试*** | 国省代码： | 四川;51 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 电压 可调 双向 esd 保护 器件 | ||
【权利要求书】：
1.一种电压可调的双向ESD保护器件，包括N型衬底、第一次P型外延层、第二次P型外延层、P型势垒阻挡层、N+掺杂区、隔离槽、隔离介质层、正面金属电极、背面金属电极，其特征在于：所述N型衬底上生长有第一次P型外延层，所述第一次P型外延层注入扩散形成的P型势垒阻挡层，所述P型势垒阻挡层上生长的第二次P型外延层，所述第二次P型外延层表面注入扩散形成的N+掺杂层，所述隔离槽贯穿NPN结构，所述隔离槽上设有绝缘介质层，所述N+掺杂层和绝缘介质层上设有正面金属电极，所述N型衬底底部设有背面金属电极。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于成都吉莱芯科技有限公司，未经成都吉莱芯科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201921284851.8/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
