[实用新型]一种新型栅格硼掺杂金刚石薄膜电极

说明书

本实用新型属于薄膜电极技术领域,涉及一种硼掺杂金刚石薄膜电极。一种新型栅格硼掺杂金刚石薄膜电极，包括基底层和硼掺杂金刚石薄膜；所述硼掺杂金刚石薄膜沉积在所述基底层的表面，所述的基底层上设有若干呈阵列分布的下沉栅格。本实用新型的薄膜电极，与现有产品相比，具有的有益效果是：（1）栅格倒角的存在，能够释放薄膜的内应力，提高薄膜与基底层的结合力，增强电极的稳定性；（2）特殊的栅格结构，能够增加水流阻力，有利于抵抗水流的冲蚀；（3）栅格的存在，使电极表面凸凹不平，与相同规格的平面电极相比，能够增加约4%的有效工作面积，提高污水处理速率。

技术领域

本实用新型属于薄膜电极技术领域,涉及一种硼掺杂金刚石薄膜电极。

背景技术

随着淡水资源不断的被消耗，人们开始越来越关注节约用水和工业废水和生活废水重新利用。污水治理已经成为国内迫在眉睫的工业问题。随着新旧动能转换的进一步推进，国内工业向着低能耗低污染的方向发展,因此废水的减排和治理方法亟须革新。硼掺杂金刚石薄膜(BDD)优异的电化学特性，是废水处理电极的最优选择。传统的金刚石电极基底一般选择金属钽或者金属铌。一般使用微波化学气相沉积法或者热丝化学气相沉积方法制备硼掺杂金刚石薄膜，制备成本高昂。传统BDD电极一般在平面金属片上进行制备，在金属片上沉积BDD时，由于金属与金刚石热膨胀系数不一致，在降温过程中薄膜会形成较大的内应力，内应力的存在会严重影响薄膜与基底的结合性能，因此严重限制电极的使用寿命。

实用新型内容

本实用新型的目的是为了解决现有的硼掺杂金刚石薄膜电极存在的技术问题，提供一种新型的硼掺杂金刚石薄膜电极，能够提高薄膜与基底结合牢固度，延长使用寿命。

为了实现上上述目的，本实用新型采用的技术方案是：一种新型栅格硼掺杂金刚石薄膜电极，包括基底层和硼掺杂金刚石薄膜；所述硼掺杂金刚石薄膜沉积在所述基底层的表面，所述的基底层上设有若干呈阵列分布的下沉栅格。

所述的栅格的底部具有倒角。

所述栅格的深度为1mm-2mm。

所述基底层为高纯铌板。

所述铌板的厚度为5mm-20mm。

所述硼掺杂金刚石薄膜的厚度为5μm-20μm。

所述栅格采用在平面铌板上冲压的方式形成。

本实用新型的新型栅格硼掺杂金刚石薄膜电极，与现有产品相比，具有的有益效果是：

1 、栅格倒角的存在，能够释放薄膜的内应力，提高薄膜与基底层的结合力，增强电极的稳定性；

2、特殊的栅格结构，能够增加水流阻力，有利于抵抗水流的冲蚀；

3、栅格的存在，使电极表面凸凹不平，与相同规格的平面电极相比，能够增加约4%的有效工作面积，提高污水处理速率。

附图说明

图1为本实用新型的新型栅格硼掺杂金刚石薄膜电极的断面示意图；

图2是基底层的断面示意图；

图3本实用新型的新型栅格硼掺杂金刚石薄膜电极的俯视图；

图4是本实用新型的新型栅格硼掺杂金刚石薄膜电极的等轴测图。

具体实施方式

下面结合附图和实施例，对本实用新型的新型栅格硼掺杂金刚石薄膜电极做进一步详细的介绍和说明，以使本领域技术人员更好的理解本实用新型的技术方案和技术效果。