[实用新型]一种氮化物和金属薄膜沉积与修整设备有效
申请号: | 201921288130.4 | 申请日: | 2019-08-09 |
公开(公告)号: | CN211142151U | 公开(公告)日: | 2020-07-31 |
发明(设计)人: | 李国强 | 申请(专利权)人: | 广州市艾佛光通科技有限公司 |
主分类号: | C23C14/35 | 分类号: | C23C14/35;C23C14/56;C23C14/18;C23C14/16;C23C14/06;C23C14/02;C23C14/58 |
代理公司: | 广州市越秀区哲力专利商标事务所(普通合伙) 44288 | 代理人: | 陶洁雯 |
地址: | 510000 广东省广州市*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 氮化物 金属 薄膜 沉积 修整 设备 | ||
1.一种氮化物和金属薄膜沉积与修整设备,其特征在于,包括载片装置、修膜装置、金属溅射装置、氮化物溅射装置、传送装置;
所述载片装置包括具有载片腔的第一壳体,所述第一壳体上设有晶片传送口;所述载片腔中设有用于容置晶片的载片器,以及用来将载片器输送至晶片传送口处的输送机构;
所述修膜装置包括具有修膜腔的第二壳体,所述第二壳体上设有晶片传送口;所述修膜腔中分别设有用于承托晶片的修膜载片台、用于驱动载片台移动的驱动机构、以及用于对晶片表面进行清理和修平处理的聚焦离子束装置;
所述金属溅射装置包括具有金属溅射腔的第三壳体,所述第三壳体上设有晶片传送口;所述金属溅射腔中分别设有用于承托晶片的金属溅射载片台、用于溅射金属的靶材;
所述氮化物溅射装置包括具有氮化物溅射腔的第四壳体,所述第四壳体上设有晶片传送口;所述氮化物溅射腔中分别设有用于承托晶片的氮化物溅射载片台、用于溅射氮化物的靶材;
所述传送装置包括具有传送腔的第五壳体,所述传送腔分别与载片腔、修膜腔、金属溅射腔、氮化物溅射腔的晶片传送口连通;在每个晶片传送口处均安装有阀门,每个阀门都能够实现独立打开或关闭;所述传送腔中设有机械手,所述机械手用于从载片盒取出晶片,并且能够在修膜腔、金属溅射腔及氮化物溅射腔之间进行传片操作。
2.如权利要求1所述的氮化物和金属薄膜沉积与修整设备,其特征在于,所述载片腔、修膜腔、金属溅射腔及氮化物溅射腔中均设有机械真空泵和分子泵;所述修膜腔的数量为一个、两个、三个或更多个;所述金属溅射腔的数量为一个、两个、三个或更多个;所述氮化物溅射腔的数量为一个、两个、三个或更多个。
3.如权利要求1所述的氮化物和金属薄膜沉积与修整设备,其特征在于,所述载片器为能够放置4-8英寸晶片的卡塞,卡塞能够放置多片晶片。
4.如权利要求1所述的氮化物和金属薄膜沉积与修整设备,其特征在于,所述传送腔的形状为长方形、正方形、正五边形、正六边形或圆形。
5.如权利要求1所述的氮化物和金属薄膜沉积与修整设备,其特征在于,所述第一壳体、第二壳体均为耐高压合金钢或耐低压合金钢。
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