[实用新型]一种内引线MOSFET版图结构及MOSFET芯片

说明书

本实用新型公开了一种内引线MOSFET版图结构及MOSFET芯片，包括MOSFET版，MOSFET版上设置有结终端，结终端的内部设置有元胞区，元胞区内设置有栅Pad和源pad。本实用新型取消了元胞区和结终端区的过渡区域，元胞区周围可以直接设计结终端区，从而有效缩小了芯片尺寸，适用于小电流的MOSFET芯片。

技术领域

本实用新型属于半导体技术领域，具体涉及一种内引线MOSFET版图结构及MOSFET芯片。

背景技术

随着6英寸分立器件芯片生产线在全国遍地开花，产品要在市场上取得竞争优势，除了提高产品成品率和可靠性之外，必须进一步缩小芯片尺寸，适应电子装置小型化要求，同时提高产品单片晶圆上的芯片颗粒数。对于小电流的MOSFET器件，由于版图结构中有源区四周栅极引线占用的面积比较大，要将芯片尺寸做到最小，常规的结构已经无法满足要求。本实用新型专利设计的结构，在不影响器件电学参数的情况下，可以有效减小芯片面积，提高产品单片晶圆上的芯片颗粒数。

实用新型内容

本实用新型所要解决的技术问题在于针对上述现有技术中的不足，提供一种内引线MOSFET版图结构及MOSFET芯片，在不影响器件电学参数的情况下，可以有效减小芯片面积，增加硅片上单芯片的数目。

本实用新型采用以下技术方案：

一种内引线MOSFET版图结构，包括MOSFET版，MOSFET版上设置有结终端，结终端的内部设置有元胞区，元胞区内设置有栅Pad和源pad。

具体的，栅Pad与栅极引线连接，栅极引线与栅Pad连接形成U型区域，在U型区域内设置有cell区。

进一步的，源pad设置在U型区域的开口处。

本实用新型的另一个技术方案是，一种MOSFET芯片，应用版图结构，版图结构沿X方向和Y方向尺寸分别缩小90～108μm。

具体的，MOSFET芯片包括沟槽式的MOSFET器件结构。

进一步的，MOSFET芯片为600V以下小电流的N沟道和P沟道MOSFET器件。

与现有技术相比，本实用新型至少具有以下有益效果：

⑴栅电极由外引线改为内引线，源极不需要再设计延伸电极，因此取消了版图设计过程中有源区边缘栅电极和源电极隔离区所占的面积，以及源极延伸电极所占的面积，缩小了器件最终的芯片尺寸；

⑵栅电极采用内引线结构，在规定的芯片尺寸下，节省的面积可以排布更多的元胞，从而有效降低器件最终的导通电阻。

综上所述，本实用新型取消了元胞区和结终端区的过渡区域，元胞区周围可以直接设计结终端区，从而有效缩小了芯片尺寸，适用于小电流的MOSFET芯片。

下面通过附图和实施例，对本实用新型的技术方案做进一步的详细描述。

附图说明

图1为本实用新型内引线结构示意图；

图2为外引线结构示意图。

其中：1.结终端；2.栅极引线；3.栅Pad；4.cell区；5.元胞区；6.源pad；7.源极金属；8.隔离层。

具体实施方式

请参阅图1，本实用新型公开了一种内引线MOSFET版图结构及MOSFET芯片，包括结终端1、栅极引线2、栅Pad3、cell区4、元胞区5和源pad6；元胞区5设置在结终端1的内部，栅Pad3和源pad6设置在元胞区5内，栅极引线2与栅Pad3连接形成U型区域，cell区4设置在U型区域内，源pad6设置在U型区域的开口处。