[实用新型]芯片嵌入式超高频RFID标签

说明书

本实用新型提出一种芯片嵌入式超高频RFID标签，其是利用金属走线设计和凹槽结构，有效地保护了射频芯片，防止射频芯片裸露凸出金属走线而受到碰撞损坏，同时还变相扩大了标签天线的辐射面积。

技术领域

本实用新型属于RFID标签技术领域，尤其涉及一种芯片嵌入式超高频 RFID标签。

背景技术

随着近几年整个物联网的强势发展，RFID的应用在其中发挥了巨大的作用，尤其是基础数据的采集、资产管理等方面。而RFID标签作为每个产品的“身份证”，会伴随产品的每个阶段和使用过程，在这个过程当中不可避免的会与其他物体碰撞，尤其现有的绝大部分芯片是凸出防止在标签天线上的，而芯片本身是非常脆弱的半导体，不经意的碰撞都会使标签的芯片失效，从而导致整个RFID 标签的失效。而现有的标签有以下结构：如图1所示，芯片凸出安置在标签天线侧边，凸出的结构无法保证侧面受力而破损；如图2所示，芯片凸出设置在标签天线正面，凸出的结构无法保护芯片正面受力。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种芯片嵌入式超高频RFID标签，将芯片放置在凹槽结构内，形成半腔结构，防止射频芯片裸露凸出而受到碰撞损坏。此外，围绕凹槽结构的金属走线的结构设计，变相扩大了标签天线的辐射面积。为实现上述目的，本实用新型采用如下技术方案：

本实用新型提出了一种芯片嵌入式超高频RFID标签，其包括：介质基片 (101)和射频芯片(301)；所述介质基片(101)上设置有正面金属微带线(201)，其特征在于，所述介质基片(101)贴附安装有金属走线；所述金属走线包括：

设置于介质基片背面的第一凹槽金属走线(203)、第二凹槽金属走线(204)、第三凹槽金属走线(205)和第四金属走线(206)；

所述介质基片的背面的左段开设一容纳槽；所述第四金属走线(206)包绕所述容纳槽；所述容纳槽的左端与所述介质基片平齐；

所述第二凹槽金属走线(204)、第三凹槽金属走线(205)和第一凹槽金属走线(203)自右向左依次设置在所述容纳槽内；

所述第四金属走线(206)、第二凹槽金属走线(204)与所述第三凹槽金属走线(205)依次物理连接；所述第一凹槽金属走线(203)的左端与所述容纳槽平齐；所述第一凹槽金属走线(203)的右端和第三凹槽金属走线(205)之间形成间隙；

所述射频芯片(301)位于所述间隙内并延伸至所述凹槽内；所述射频芯片 (301)同时与所述第一凹槽金属走线(203)和第三凹槽金属走线(205)电性连接；

设置于介质基片左侧面的左侧面金属走线(202)；所述左侧面金属走线 (202)与所述正面金属微带线(201)的左端物理连接；所述左侧面金属走线 (202)与所述第一凹槽金属走线(203)的左端物理连接；

设置于介质基片右侧面的右侧面金属走线(207)；所述右侧面金属走线 (207)的上端与所述正面金属微带线(201)的右端物理连接。

优选地，所述第四金属走线(206)、左侧面金属走线(202)、右侧面金属走线(207)均居中设置。

优选地，所述第二凹槽金属走线(204)位于所述容纳槽的中间位置；所述容纳槽居中设置。

本实用新型还提出了一种芯片嵌入式超高频RFID标签，其包括：介质基片(101)和射频芯片(301)；所述介质基片(101)上设置有正面金属微带线(201)，所述介质基片(101)贴附安装有金属走线；所述金属走线包括：

设置于介质基片左侧面的第二凹槽金属走线(204)和第三凹槽金属走线 (205)；所述介质基片的左侧面开设一容纳槽；