[实用新型]一种洁净室有效
申请号: | 201921297086.3 | 申请日: | 2019-08-09 |
公开(公告)号: | CN210713992U | 公开(公告)日: | 2020-06-09 |
发明(设计)人: | 李传琰;李鹏;王江标;张欣赏;盛受文;肖红梅 | 申请(专利权)人: | 世源科技工程有限公司;中国电子工程设计院有限公司 |
主分类号: | E04H5/02 | 分类号: | E04H5/02;E04H1/12;F24F7/08;F24F3/16;F24F13/02;F24F11/89 |
代理公司: | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人: | 刘红彬 |
地址: | 100142 北京市海淀*** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 洁净室 | ||
本申请涉及洁净厂房技术领域,公开了一种洁净室,包括调压设备组件用于调节上技术夹层双墙夹道内气压,以使洁净室正常生产时使上技术夹层双墙夹道内的气压高于与其相邻的带污染源上技术夹层和无污染源上技术夹层内的气压;和/或;调压设备组件用于调节下技术夹层双墙夹道内气压,使洁净室正常生产时使下技术夹层双墙夹道内的气压高于与其相邻的带污染源下技术夹层和无污染源下技术夹层内的气压,或,使洁净室正常生产时使下技术夹层双墙夹道内的气压低于与其相邻的带污染源下技术夹层和无污染源下技术夹层内的气压。本申请公开的洁净室,可以降低或避免带污染源生产区产生的污染物进入到无污染源生产区中,以提高无污染源生产区中产品的良率。
技术领域
本申请涉及洁净厂房技术领域,特别涉及一种洁净室。
背景技术
随着电子工业的主流产品半导体IC和显示器件TFT-LCD工艺制程的高标准需求不断提升,为了保障产品合格率,从而对洁净室空气质量要求越来越高;洁净空气分子污染物AMC对各生产工序工艺制程会产生一定的不良影响,影响产品良率。
例如:TFT-LCD生产厂房阵列曝光区Array Photo、彩膜曝光区CF Photo涂胶与烘烤生产工序,配向膜PI区PI涂布、烘烤、PI重工生产工序有机溶剂清洗过程产生的有机废气通过废气管道接至屋面沸石转轮机组和蓄热燃烧炉进行集中处理;但仍存在一部分挥发性有机物VOC遗留在上述产VOC生产工序的洁净室内,对人体及制造环境均有一定的不良影响,尤其是某些生产工序(如液晶滴注ODF区)对VOC比较敏感,当产VOC生产工序区域遗留VOC浓度较高,且通过空气流扩散至ODF区时,会严重影响产品良率。
为降低Array Photo、CF Photo、PI产VOC污染源区(以下简称产VOC区)VOC的浓度。目前有效的措施是:将这些产生VOC污染源的区域单独设置成独立回风区(房间)来隔绝VOC的大面积扩散;且在其洁净室下技术夹层设置沸石转轮机组对空气中的VOC进行持续吸附再生的去除方法,将浓缩脱附后的VOC排放至屋面主有机废气处理系统。目前沸石转轮机组的VOC处理效率虽可达到95%,但始终仍存在一部分VOC遗留在这些工序区的洁净室内。
但是,如图1和图2所示,若VOC敏感区洁净等级要求低于产VOC区,洁净等级高的房间应相对洁净等级低的房间保持不小于5Pa的正压差,此时空气流由产VOC区偏向VOC敏感区,会导致VOC扩散到相邻VOC敏感区影响其生产环境及产品良率。
实用新型内容
本申请提供了一种洁净室,可以降低或避免带污染源生产区产生的污染物进入到无污染源生产区中,从而能够提高无污染源生产区中产品的良率。
为了达到上述目的,本申请提供了一种洁净室,包括上技术夹层、下技术夹层以及位于所述上技术夹层和下技术夹层之间的洁净生产区;所述洁净生产区的两侧形成用于连通所述上技术夹层和下技术夹层的技术夹道;还包括调压设备组件,所述上技术夹层、下技术夹层以及洁净生产区内均设有隔板墙,所述洁净生产区内的隔板墙用于将所述洁净生产区分隔为带污染源生产区和无污染源生产区,所述上技术夹层内的隔板墙用于将所述上技术夹层分隔为带污染源上技术夹层和无污染源上技术夹层,所述下技术夹层内的隔板墙用于将所述下技术夹层分隔为带污染源下技术夹层和无污染源下技术夹层:其中,
所述上技术夹层内设有的隔板墙为双层以形成上技术夹层双墙夹道,所述调压设备组件用于调节所述上技术夹层双墙夹道内气压,以使洁净室正常生产时使所述上技术夹层双墙夹道内的气压高于与其相邻的带污染源上技术夹层和无污染源上技术夹层内的气压;
和/或;
所述下技术夹层内设有的隔板墙为双层以形成下技术夹层双墙夹道,所述调压设备组件用于调节所述下技术夹层双墙夹道内气压,以使洁净室正常生产时使所述下技术夹层双墙夹道内的气压高于与其相邻的带污染源下技术夹层和无污染源下技术夹层内的气压,或者,使洁净室正常生产时使所述下技术夹层双墙夹道内的气压低于与其相邻的带污染源下技术夹层和无污染源下技术夹层内的气压。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于世源科技工程有限公司;中国电子工程设计院有限公司,未经世源科技工程有限公司;中国电子工程设计院有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201921297086.3/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。