[实用新型]反熔丝存储单元

权利要求书

1.一种反熔丝存储单元，其特征在于，包括：

衬底，所述衬底上具有选择栅极结构；

漏极和与所述漏极掺杂离子类型相同的源极，所述漏极和所述源极分别位于所述选择栅极结构相对两侧的所述衬底内；

位于所述漏极上的反熔丝栅介质层和位于所述反熔丝栅介质层上的反熔丝栅极；

LDD结构，与所述源极掺杂离子类型相同且掺杂离子浓度小于所述源极的所述LDD结构位于所述衬底内且与所述源极相接触，所述LDD结构位于所述源极与所述选择栅极结构之间。

2.根据权利要求1所述的反熔丝存储单元，其特征在于，所述选择栅极结构包括选择栅介质层以及位于所述选择栅介质层顶部表面的选择栅极；所述选择栅介质层与所述反熔丝栅介质层均为氧化硅；所述反熔丝栅介质层的厚度小于或等于所述栅介质层的厚度。

3.根据权利要求1所述的反熔丝存储单元，其特征在于，还包括：与所述漏极掺杂离子类型不同的第一HALO区，所述第一HALO区位于所述衬底内且与所述漏极相接触，所述第一HALO区位于所述漏极与所述选择栅极结构之间。

4.根据权利要求3所述的反熔丝存储单元，其特征在于，所述第一HALO区位于所述衬底内的深度大于所述漏极位于所述衬底内的深度。

5.根据权利要求3所述的反熔丝存储单元，其特征在于，还包括：与所述第一HALO区掺杂离子类型相同的第二HALO区，所述第二HALO区位于所述衬底内且与所述源极相接触，所述第二HALO区位于所述LDD结构下方。

6.根据权利要求3所述的反熔丝存储单元，其特征在于，所述漏极朝向所述源极的水平方向上，所述漏极与所述选择栅极结构之间具有间距。

7.根据权利要求6所述的反熔丝存储单元，其特征在于，所述漏极朝向所述选择栅极结构的边缘与所述选择栅极结构朝向所述漏极的侧壁之间的所述间距为10nm～800nm。

8.根据权利要求1所述的反熔丝存储单元，其特征在于，所述反熔丝栅极朝向所述选择栅极结构的水平方向上，所述反熔丝栅极与所述选择栅极结构之间的间距为400nm～800nm。

9.根据权利要求1所述的反熔丝存储单元，其特征在于，所述反熔丝栅介质层部分位于所述漏极上。