[实用新型]一种薄膜铂电阻温度传感器

权利要求书

1.一种薄膜铂电阻温度传感器，包括温敏材料（1）、电线（9）和顶针（19），其特征在于：所述温敏材料（1）的下方设置有下电极（2），且温敏材料（1）的上方设置有上电极（3），所述下电极（2）的下方连接有底衬（4），且底衬（4）的外侧设置有防护层（5），所述防护层（5）的外侧设置有上壳体（6）和下壳体（7），且上壳体（6）位于下壳体（7）的上方，所述上壳体（6）和下壳体（7）的内侧均连接有限位块（8），且限位块（8）的内侧放置有防护层（5），所述电线（9）的右端与温敏材料（1）连接，且电线（9）的左端依次通过立柱（11）和导线槽（10），所述上壳体（6）的内部均开设有导线槽（10），且导线槽（10）的内部设置有滑块（12），所述滑块（12）的左端连接有缓冲弹簧（13），且滑块（12）的右侧与电线（9）连接，所述下壳体（7）左右两端均开设有导孔（15），且导孔（15）的内部放置有连接柱（16），所述连接柱（16）的内侧连接有复位弹簧（18），且连接柱（16）通过复位弹簧（18）与下壳体（7）连接，并且连接柱（16）的外部设置有顶针（19），所述上壳体（6）和下壳体（7）的外侧均设置有卡钩（17），且上壳体（6）和下壳体（7）的内部设置有卡块（14），所述立柱（11）设置在卡块（14）的外侧。

2.根据权利要求1所述的一种薄膜铂电阻温度传感器，其特征在于：所述温敏材料（1）分别与下电极（2）和上电极（3）焊接呈一体化结构，且温敏材料（1）、下电极（2）、上电极（3）和底衬（4）的外侧包裹有防护层（5）。

3.根据权利要求1所述的一种薄膜铂电阻温度传感器，其特征在于：所述上壳体（6）和下壳体（7）上的卡钩（17）上下交错设置，且卡钩（17）呈“J”型结构，并且上壳体（6）和下壳体（7）上的卡钩（17）弯曲方向相反。

4.根据权利要求1所述的一种薄膜铂电阻温度传感器，其特征在于：所述限位块（8）呈“L”型结构，且限位块（8）与防护层（5）卡合连接。

5.根据权利要求1所述的一种薄膜铂电阻温度传感器，其特征在于：所述滑块（12）的顶端呈凸弧形结构，且滑块（12）与导线槽（10）构成滑动结构。

6.根据权利要求1所述的一种薄膜铂电阻温度传感器，其特征在于：所述导孔（15）的横截面呈凸型结构，且导孔（15）的轴心线与卡钩（17）的底端的轴心线在同一直线上。