[实用新型]一种氮化镓电子器件的复合介质结构有效
| 申请号： | 201921327428.1 | 申请日： | 2019-08-15 |
| 公开（公告）号： | CN210467851U | 公开（公告）日： | 2020-05-05 |
| 发明（设计）人： | 刘新宇;王成森;殷海波;黄森;王鑫华;魏珂;黄健;张超;吴耀辉 | 申请（专利权）人： | 捷捷半导体有限公司;中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L21/335 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 方丁一 |
| 地址： | 226017 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 氮化 电子器件 复合 介质 结构 | ||
1.一种氮化镓电子器件的复合介质结构，其特征在于，包括：
低界面态介质插入层(1)和高击穿电场介质层(2)；
低界面态介质插入层(1)，生长在氮化镓电子器件上；
高击穿电场介质层(2)，生长在所述低界面态介质插入层(1)上。
2.如权利要求1所述的氮化镓电子器件的复合介质结构，其特征在于，所述低界面态介质插入层(1)的厚度为0.2nm～5nm。
3.如权利要求1所述的氮化镓电子器件的复合介质结构，其特征在于，所述高击穿电场介质层(2)的厚度为5nm～30nm。
4.如权利要求1所述的氮化镓电子器件的复合介质结构，其特征在于，所述低界面态介质插入层(1)的材料包括氮化铝、氮氧化铝、氮化硅化合物、氧化镓化合物或组合中的任意一种。
5.如权利要求1所述的氮化镓电子器件的复合介质结构，其特征在于，所述高击穿电场介质层(2)的材料包括氮化硅化合物、二氧化硅、氮氧化硅化合物、三氧化二铝、氧化镍或组合中的任意一种。
6.如权利要求1所述的氮化镓电子器件的复合介质结构，其特征在于，所述氮化镓电子器件包括衬底(3)、III族氮化物层级结构、源极(9)和漏极(10)，所述III族氮化物层级结构从下到上依次包括氮化镓缓冲层(4)、氮化镓沟道层(5)、二维电子气层(6)、氮化铝插入层(7)和氮镓铝势垒层(8)，源极(9)和漏极(10)设在氮镓铝势垒层(8)表面的两端。
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