[实用新型]晶体管

权利要求书

1.一种晶体管，其特征在于，包括：

衬底，所述衬底中形成有栅极沟槽；以及，

栅极介质层，覆盖所述栅极沟槽的内壁，其中所述栅极介质层具有上层部和下层部，所述上层部覆盖所述栅极沟槽中高于预定高度位置的内壁，所述下层部覆盖所述栅极沟槽中低于所述预定高度位置的内壁；其中，所述上层部包括内衬层和外盖层，所述内衬层覆盖所述栅极沟槽的内壁，所述外盖层覆盖所述内衬层的外侧壁，并且所述内衬层和所述外盖层的厚度之和大于所述下层部的厚度值。

2.如权利要求1所述的晶体管，其特征在于，所述栅极介质层中，所述下层部相对于所述内衬层的厚度差值小于所述外盖层的厚度值；或者所述下层部相对于所述外盖层的厚度差值小于所述内衬层的厚度值。

3.如权利要求1所述的晶体管，其特征在于，所述栅极介质层包括第一介质层和第二介质层；

其中，所述第一介质层覆盖所述栅极沟槽的内壁，并且所述第一介质层低于所述预定高度位置的部分构成所述下层部，所述第一介质层高于所述预定高度位置的部分构成所述内衬层；以及，所述第二介质层覆盖所述第一介质层中高于所述预定高度位置的部分，以构成所述上层部的外盖层。

4.如权利要求3所述的晶体管，其特征在于，所述第二介质层在垂直于沟槽侧壁方向上的厚度尺寸大于所述第一介质层在垂直于沟槽侧壁方向上的厚度尺寸。

5.如权利要求3所述的晶体管，其特征在于，所述上层部的所述外盖层相对于所述下层部往远离沟槽内壁的方向凸出。

6.如权利要求5所述的晶体管，其特征在于，所述晶体管还包括：

栅极导电层，所述栅极导电层形成在所述栅极介质层上并位于所述栅极沟槽中，以及所述栅极导电层从所述下层部延伸至所述上层部，并且所述栅极导电层高于预定高度位置的宽度尺寸小于所述栅极导电层低于预定高度位置的宽度尺寸。

7.如权利要求1所述的晶体管，其特征在于，所述栅极介质层包括第一介质层和第二介质层；

其中，所述第一介质层覆盖所述栅极沟槽高于预定高度位置的内壁，以构成所述内衬层；以及，所述第二介质层覆盖所述第一介质层和所述栅极沟槽低于预定高度位置的内壁，并且所述第二介质层中高于预定高度位置的部分构成所述外盖层，所述第二介质层中低于预定高度位置的部分构成所述下层部。

8.如权利要求7所述的晶体管，其特征在于，所述第一介质层在垂直于沟槽侧壁方向上的厚度尺寸大于所述第二介质层在垂直于沟槽侧壁方向上的厚度尺寸。

9.如权利要求7所述的晶体管，其特征在于，所述上层部的所述内衬层相对于所述下层部往靠近沟槽内壁的方向凸出。

10.如权利要求9所述的晶体管，其特征在于，所述晶体管还包括：

栅极导电层，所述栅极导电层形成在所述栅极介质层上并位于所述栅极沟槽中，并且所述栅极导电层的侧壁边界顺应所述第二介质层的侧壁从所述下层部延伸至所述上层部。

11.如权利要求1所述的晶体管，其特征在于，所述晶体管还包括：

栅极导电层，所述栅极导电层形成在所述栅极介质层上并位于所述栅极沟槽中，并且所述栅极导电层的顶部位置高于所述预定高度位置，以使所述栅极导电层从所述栅极介质层的所述下层部延伸至所述上层部。

12.如权利要求11所述的晶体管，其特征在于，所述晶体管还包括：

源漏区，所述源漏区的底部边界低于所述栅极导电层的顶部位置并高于所述预定高度位置，以使所述源漏区和所述栅极导电层之间间隔有所述栅极介质层的上层部。