[实用新型]新型高温烧结炉

说明书

一种新型高温烧结炉，属于窑炉设施技术领域。包括炉体，炉体的中央有炉膛；硅钼棒左加热元件在对应于炉膛的左侧的位置自炉膛的前端分布至后端，硅钼棒右加热元件在对应于炉膛的右侧的位置自炉膛的前端分布至后端，特点：在炉顶砖上并且对应于硅钼棒左加热元件的位置构成有左塞砖机构容纳腔，在对应于硅钼棒右加热元件的位置构成有右塞砖机构容纳腔，在左塞砖机构容纳腔内设置有左塞砖机构，而在右塞砖机构容纳腔内设置有右塞砖机构，所述硅钼棒左加热元件的上端与左塞砖机构插配，而所述的硅钼棒右加热元件的上端与右塞砖机构插配。降低更换硅钼棒的工程成本；提高烧结效率；不会对炉膛的顶部的密封效果产生影响；方便更换。

技术领域

本实用新型属于窑炉设施技术领域，具体涉及一种新型高温烧结炉。

背景技术

如业界所知，不论是用于烧结各类电子元器件，还是用于烧结各种普通的以及特殊并且高端的电子粉体材料的烧结炉，炉体的炉膛结构以及加热部件及其设置方式系其十分重要的组成部分。对此可以由中国专利CN105783517A推荐的“电池材料烧结炉的炉膛结构”以及CN204934610U提供的“MIN烧结炉的炉膛加热装置”印证。

进而如业界所知，有些电子材料如氧化铝基片、氮化铝基片、陶瓷基片等等的烧结温度相对较高，并且在1500-1600℃左右，于是如果使用传统的电热丝之类的加热元件，那么因极易氧化而无法满足业界期望的加热元件使用寿命，并且因停炉更换频繁而一方面影响产能，另一方面不利于节省能耗，再一方面设备管护人员的工作量大。

仍如业界所知，硅钼棒实质上为二硅化钼电热组件，是一种以硅化钼为基础的电阻发热组件，在氧化气氛下加热至高温，表面生成的一层致密的石英玻璃膜能起到良好的保护作用，使硅钼棒不再氧化。因此鉴于硅钼棒具有拔萃的高温抗氧化性能，在氧化气氛下最高可达1800℃，并且其通常的适用温度为1500-1700℃左右，因而对于烧结前述氧化铝基片、氮化铝基片、陶瓷基片以及高端电子磁性材料、高档冶金材料、耐火材料等等能发挥良好的积极作用。

前述硅钼棒的形状主要有W字形、一字形和U字形，由于W字形的硅钼棒通常为水平放置使用，例如由于电炉内发热端分布较多，热效率较高，因而为了节省成本，W字形的硅钼棒适合于炉膛高度较矮的电炉，并不适合作为长度相对冗长且炉膛高度相对较高的前述电子元器件及电子粉体材料的烧结炉的加热部件；一字形的硅钼棒主要用于结构相对简单且体积较小的加热炉如中国专利CN208382876U推荐的“利用硅钼棒加热的搪瓷加热炉”，此外由于一字形的硅钼棒是处于纵向状态使用的，因而固定相对困难；由于U字形的硅钼棒能将前述W字形以及一字形的硅钼棒的优势兼得，例如在使用状态下能像一字形的硅钼棒那样纵向悬置使用，而无需象W字形的硅钼棒那样卧置使用，又如能够满足长度相对冗长并且高度相对较高的前述犹如隧道式的烧结炉的使用要求，因而较受业界的器重。

依然由业界所知，电子元器件烧结炉的炉膛通常由沿着炉体长度方向的两侧砌筑的炉壁砖、位于炉体底部的炉底砖以及位于炉体顶部的炉顶砖构建（即围合）而成，前述U字形的硅钼棒的上端被定位在对应于炉膛上方的炉顶砖上，而下端伸展到炉膛内，并且在炉膛的长度方向的两侧均以间隔状态设置硅钼棒。