[实用新型]一种复合介电钝化层结构太阳电池有效
| 申请号： | 201921341334.X | 申请日： | 2019-08-19 |
| 公开（公告）号： | CN210092098U | 公开（公告）日： | 2020-02-18 |
| 发明（设计）人： | 王岚;张忠文;杨蕾;谢毅;苏荣 | 申请（专利权）人： | 通威太阳能（成都）有限公司;通威太阳能（安徽）有限公司;通威太阳能（眉山）有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0216 | 分类号： | H01L31/0216;H01L31/04;H01L31/18 |
| 代理公司： | 昆明合众智信知识产权事务所 53113 | 代理人： | 邓黎 |
| 地址： | 610299 四川省成都市双流*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 复合 钝化 结构 太阳电池 | ||
1.一种复合介电钝化层结构太阳电池，其特征在于：包括P型硅衬底(4)、以及依次包覆在P型硅衬底(4)外的全表面沉积氧化硅膜(3)、正面的较高n值氮化硅或氮氧化硅膜(12)、背面及周边氧化铝膜(2)和全表面覆盖的低n值氮化硅膜(1)；
P型硅衬底(4)上侧设置有发射结区(9)，所述发射结区(9)与P型硅衬底(4)之间设置有N++ SE重掺区(10)；
所述P型硅衬底(4)设置有发射结区(9)的另一侧面设置有Local-BSF P++区(8)，所述低n值氮化硅膜(1)的底部设置有Al背场(7)，所述Al背场(7)设置有电极柱(11)，所述电极柱(11)依次穿过低n值氮化硅膜(1)、背面及周边的氧化铝膜(2)、全表面的氧化硅膜(3)，所述电极柱(11)的顶部与Local-BSF P++区(8)连接。
2.根据权利要求1所述的一种复合介电钝化层结构太阳电池，其特征在于：所述P型硅衬底(4)设置有N++ SE重掺区(10)的一侧设置有穿透复合介电钝化膜层Ag正电极(6)，所述Ag正电极(6)依次穿过低n值氮化硅膜(1)、较高n值氮化硅或氮氧化硅膜(12)和全表面的氧化硅膜(3)，所述Ag正电极(6)靠近P型硅衬底(4)的一端与发射结区(9)连接。
3.根据权利要求1所述的一种复合介电钝化层结构太阳电池，其特征在于：所述Al背场(7)上设置有Ag-Al或Ag背电极(5)。
4.根据权利要求1所述的一种复合介电钝化层结构太阳电池，其特征在于：所述Local-BSF P++区(8)为多个球缺而非锥形凹坑(13)组成。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
