[实用新型]一种低相噪宽带频率合成器

权利要求书

1.一种低相噪宽带频率合成器，其特征在于，包括晶体振荡器(1)、滤波器(2)、锁相环路(10)、放大器(6)、分频器(7)、第二Σ-Δ调制器(8)、8位可编程调制器(9)以及第一Σ-Δ调制器(11)，其中：

所述晶体振荡器(1)与所述滤波器(2)连接，所述滤波器(2)与所述锁相环路(10)的信号输入端连接，所述锁相环路(10)的信号输出端分别与所述8位可编程调制器(9)、所述放大器(6)以及分频器(7)连接，所述分频器(7)与第一Σ-Δ调制器(11)的第一信号输入端以及第二Σ-Δ调制器(8)连接，所述第一Σ-Δ调制器(11)的信号输出端与所述锁相环路(10)的信号输入端连接，所述第一Σ-Δ调制器(11)的第二信号输入端与所述第二Σ-Δ调制器(8)连接，所述锁相环路(10)的信号输入端还与所述第二Σ-Δ调制器(8)连接。

2.根据权利要求1所述的低相噪宽带频率合成器，其特征在于，所述晶体振荡器(1)采用频率为100MHz的低相位噪声恒温晶振。

3.根据权利要求1所述的低相噪宽带频率合成器，其特征在于，所述滤波器(2)为声表面波滤波器，其1dB带宽小于20MHz，且其400MHz到1GHz的抑制度大于50dB。

4.根据权利要求1所述的低相噪宽带频率合成器，其特征在于，所述第一Σ-Δ调制器(11)包括型号为AD1555的Σ-Δ调制器，所述第二Σ-Δ调制器(8)包括型号为AD1556的Σ-Δ调制器，其中：

所述第一Σ-Δ调制器(11)的第2引脚与所述锁相环路(10)的信号输入端连接；

所述第一Σ-Δ调制器(11)的第23引脚与所述分频器(7)的信号输出端连接；

所述第二Σ-Δ调制器(8)的PAG0引脚与所述锁相环路(10)的信号输入端连接；

所述第一Σ-Δ调制器(11)的第10引脚、第11引脚、第12引脚、第13引脚以及第14引脚分别与所述第二Σ-Δ调制器(8)的CB0引脚、CB1引脚、CB2引脚、CB3引脚以及CB4引脚一一对应连接。

5.根据权利要求1所述的低相噪宽带频率合成器，其特征在于，所述锁相环路(10)包括由鉴相器(3)、环路滤波器(4)以及压控振荡器(5)依次连接形成的环路，其中，所述鉴相器(3)的射频输入端分别与所述滤波器(2)以及第一Σ-Δ调制器(11)的信号输出端连接，所述压控振荡器(5)的信号输出端分别与所述8位可编程调制器(9)、所述放大器(6)以及分频器(7)连接。

6.根据权利要求1所述的低相噪宽带频率合成器，其特征在于，所述锁相环路(10)的输入参考频率为100kHz-225MHz，输出的射频频率为100MHz-9GHz，其最小频率步进为3Hz。

7.根据权利要求5所述的低相噪宽带频率合成器，其特征在于，所述压控振荡器(5)包括NPN型三极管T1、NPN型三极管T2和二极管T3，其中：

所述二极管T3的正极接地，所述二极管T3的负极连接电阻R1的一端和电容C1的一端，所述电阻R1的另一端为压控振荡器(5)的信号输入端，并与所述环路滤波器(4)的信号输出端连接；

所述三极管T1的基极连接电容C1的另一端，并通过电感L1分别连接电阻R3的一端以及接地电阻R2；所述三极管T1的集电极连接接地电容C3，并通过电感L2分别连接电阻R3的另一端、接地电容C2以及电感L3的一端，电感13的另一端连接电源；所述三极管T1的发射极连接接地电阻R4以及电容C4的一端，电容C4的另一端连接接地电阻R5以及电阻R6的一端，电阻R6的另一端连接接地电阻R7以及电容C5的一端；

所述三极管T2的基极连接电容C5的另一端，并通过电感L4分别连接接地电阻R8以及电阻R9的一端；所述三极管T2的发射极接地；所述三极管T2的集电极连接电容C6的一端，并通过电感L5分别连接电阻R9的另一端、接地电容C7以及电感L6的一端，电感L6的另一端连接电源，电容C6的另一端为压控振荡器(5)的信号输出端，并分别与所述8位可编程调制器(9)、所述放大器(6)以及分频器(7)连接。