[实用新型]具有底部厚氧化层的沟槽栅MOS结构有效
| 申请号： | 201921343908.7 | 申请日： | 2019-08-19 |
| 公开（公告）号： | CN210926025U | 公开（公告）日： | 2020-07-03 |
| 发明（设计）人： | 钱振华;张艳旺 | 申请（专利权）人： | 无锡橙芯微电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L29/423 |
| 代理公司： | 无锡市大为专利商标事务所(普通合伙) 32104 | 代理人： | 曹祖良 |
| 地址： | 214063 江苏省无锡*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 具有 底部 氧化 沟槽 mos 结构 | ||
1.一种具有底部厚氧化层的沟槽栅MOS结构，其特征在于，所述具有底部厚氧化层的沟槽栅MOS结构包括：半导体基板，所述半导体基板包括N型重掺杂衬底（1）以及位于所述N型重掺杂衬底（1）上的N型外延层（2），所述N型外延层（2）的上表面为所述半导体基板的第一主面，N型重掺杂衬底（1）的下表面为所述半导体基板的第二主面；
在所述N型外延层（2）中形成沟槽（3），所述沟槽（3）从第一主面向第二主面延伸；所述沟槽（3）中设有栅极导电多晶硅（4）和位于所述栅极导电多晶硅（4）两侧的栅氧化层（5），所述沟槽（3）下设有厚底氧化层（6），所述厚底氧化层（6）周面光滑；
所述沟槽（3）两侧的N型外延层（2）中设有P型体区（7），所述P型体区（7）上设有N型源极区（8），所述沟槽（3）和N型源极区（8）上设有绝缘介质层（9），所述绝缘介质层（9）两侧设有源极接触孔（10），所述源极接触孔（10）内填充有金属，所述绝缘介质层（9）上设有源极金属层（11），所述源极金属层（11）将两个源极接触孔（10）中的金属连接。
2.如权利要求1所述的具有底部厚氧化层的沟槽栅MOS结构，其特征在于，所述厚底氧化层（6）的厚度为3000A~5000A。
3.如权利要求1所述的具有底部厚氧化层的沟槽栅MOS结构，其特征在于，所述栅氧化层（5）的厚度为500~1000A。
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