[实用新型]一种全光谱发光二极管有效
申请号: | 201921352365.5 | 申请日: | 2019-08-20 |
公开(公告)号: | CN210245535U | 公开(公告)日: | 2020-04-03 |
发明(设计)人: | 陈宗兴;廖宗仁 | 申请(专利权)人: | 东莞佰鸿电子有限公司 |
主分类号: | H01L33/08 | 分类号: | H01L33/08;H01L33/48 |
代理公司: | 东莞众业知识产权代理事务所(普通合伙) 44371 | 代理人: | 何恒韬 |
地址: | 523000 广*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 光谱 发光二极管 | ||
1.一种全光谱发光二极管,其特征在于:包括支架和LED芯片,所述LED芯片装设于支架上,所述LED芯片包括衬底和至少两个发出不同色光的发光单元,所述发光单元包括N型半导体层、量子阱层、P型半导体层、N极和P极,所述P型半导体层设于N型半导体层的上方/下方,所述量子阱层设于P型半导体层和N型半导体层之间,所述N极设于N型半导体层上,所述P极设于P型半导体层上,所述发光单元之间以水平相接方式/垂直相叠方式设置于衬底上。
2.根据权利要求1所述的一种全光谱发光二极管,其特征在于:所述P型半导体层设于N型半导体层的上方,所述发光单元之间以水平方式设置于衬底上,所述发光单元的N极与相邻发光单元的P极电连接。
3.根据权利要求1所述的一种全光谱发光二极管,其特征在于:所述P型半导体层设于N型半导体层的上方,所述发光单元之间以垂直相叠方式设置于衬底上,位于上方发光单元的N型半导体层与位于下方发光单元的P极相互叠合。
4.根据权利要求1所述的一种全光谱发光二极管,其特征在于:所述P型半导体层设于N型半导体层的下方,所述发光单元之间以垂直相叠方式设置于衬底上,位于上方发光单元的P型半导体层与位于下方发光单元的N极相互叠合。
5.根据权利要求2-4中任一项所述的一种全光谱发光二极管,其特征在于:所述发光单元为在蓝光发光单元、红光发光单元、黄光发光单元和红外发光单元中选择, 所述蓝光发光单元所发出的色光波长为450nm,所述红光发光单元所发出的色光波长为650nm,所述红外发光单元所发出的色光波长为850nm,所述黄光发光单元所发出的色光波长为570nm。
6.根据权利要求2所述的一种全光谱发光二极管,其特征在于:所述LED芯片还包括粘合层,所述粘合层设于衬底和N型半导体层之间。
7.根据权利要求3所述的一种全光谱发光二极管,其特征在于:所述LED芯片还包括粘合层,所述粘合层设于衬底和位于最底部发光单元的N型半导体层之间。
8.根据权利要求4所述的一种全光谱发光二极管,其特征在于:所述LED芯片还包括粘合层,所述粘合层设于衬底和位于最底部发光单元的P型半导体层之间。
9.根据权利要求5所述的一种全光谱发光二极管,其特征在于:所述支架上设有正极和负极,所述LED芯片以倒装的方式装设于支架上,所述LED芯片的N极与负极相接,所述LED芯片的P极与正极相接。
10.根据权利要求1所述的一种全光谱发光二极管,其特征在于:还包括透明罩体,所述透明罩体罩设于LED芯片外侧。
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