[实用新型]一种半导体发光器件

权利要求书

1.一种半导体发光器件，在衬底上顺序设置缓冲层、非故意掺杂GaN层和n型掺杂GaN层，在n型掺杂GaN层上分别设置n型电极、绝缘介质掩膜层、蓝光LED发光结构层、绿光LED发光结构层和红光OLED发光结构层，在所述蓝光LED发光结构层、绿光LED发光结构层和红光OLED发光结构层表面分别设置p型电极；其特征在于：所述蓝光LED发光结构层、绿光LED发光结构层和红光OLED发光结构层间隔地分布在绝缘介质掩膜层之间；所述蓝光LED发光结构层自下而上包括：InGaN/GaN蓝光多量子阱有源层、电子阻挡层、p型掺杂GaN层和透明导电层；所述绿光LED发光结构层自下而上包括：InGaN/GaN绿光多量子阱有源层、电子阻挡层、p型掺杂GaN层和透明导电层；所述红光OLED发光结构层自下而上包括：第一透明导电层、电子传输层、红光有机发光层、空穴传输层和第二透明导电层。

2.根据权利要求1所述的半导体发光器件，其特征在于：所述蓝光LED发光结构层的宽度为1～100μm。

3.根据权利要求1所述的半导体发光器件，其特征在于：所述绿光LED发光结构层的宽度为1～100μm。

4.根据权利要求1所述的半导体发光器件，其特征在于：所述红光OLED发光结构层的宽度为1～100μm。