[实用新型]加热结构及半导体处理装置有效

专利信息
申请号: 201921360343.3 申请日: 2019-08-20
公开(公告)号: CN210272273U 公开(公告)日: 2020-04-07
发明(设计)人: 于海涛 申请(专利权)人: 长鑫存储技术有限公司
主分类号: H01L21/67 分类号: H01L21/67;H01L21/3065;F24H3/02;F26B21/00
代理公司: 上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) 31294 代理人: 孙佳胤;陈丽丽
地址: 230001 安徽省合肥市蜀山*** 国省代码: 安徽;34
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摘要:
搜索关键词: 加热 结构 半导体 处理 装置
【权利要求书】:

1.一种加热结构,其特征在于,包括:

管道,用于传输经压缩的干燥气体;

空气放大器,与所述管道的输出端连通,用于将经压缩的所述干燥气体放大;

加热器,与所述空气放大器连接,用于将经放大的所述干燥气体加热后传输至待加热物体的表面。

2.根据权利要求1所述的加热结构,其特征在于,所述干燥气体为空气。

3.根据权利要求2所述的加热结构,其特征在于,所述空气放大器包括:

引流腔和与所述引流腔连接的放大腔,所述引流腔具有第二进气口,与外界气体连通,所述放大腔具有出气口;

第一进气口,与所述管道连通,用于向所述放大腔传输经压缩的所述干燥气体,所述干燥气体用于建立低压以使所述引流腔通过所述第二进气口将所述外界气体引入所述放大腔;

所述出气口,与所述加热器连接,用于向所述加热器传输经放大的所述干燥气体。

4.根据权利要求3所述的加热结构,其特征在于,在沿所述引流腔和放大腔的轴向方向上,所述第二进气口与所述出气口分布于所述引流腔和放大腔的相对两侧;所述第一进气口位于所述放大腔的径向方向上。

5.根据权利要求3所述的加热结构,其特征在于,还包括:

第一三通阀,所述第一三通阀的输入端与气源连通、所述第一三通阀的第一输出端连接压力开关、所述第一三通阀的第二输出端与所述管道的输入端连通;

所述气源,用于存储经压缩的所述干燥气体,所述压力开关用于检测进入所述管道的经压缩的所述干燥气体的压力。

6.根据权利要求5所述的加热结构,其特征在于,还包括:

调节阀,安装于所述第一三通阀的第二输出端与所述管道之间,用于调整进入所述管道的经压缩的所述干燥气体的流速。

7.根据权利要求5所述的加热结构,其特征在于,所述管道和所述空气放大器的数量分别为两个,还包括:

第二三通阀,安装于所述第一三通阀的第二输出端与所述管道之间,所述第二三通阀的输入端连接所述第一三通阀的第二输出端,所述第二三通阀的第一输出端和所述第二三通阀的第二输出端分别与两个各自连接一空气放大器的管道连通。

8.根据权利要求6所述的加热结构,其特征在于,还包括:

流量计,连接所述调节阀,用于检测流经所述调节阀的经压缩的所述干燥气体的流速。

9.根据权利要求6所述的加热结构,其特征在于,还包括:

传感器,连接所述调节阀,用于检测所述待加热物体的温度并传输至所述调节阀;

所述调节阀根据所述待加热物体的温度调整进入所述管道的经压缩的所述干燥气体的流速。

10.根据权利要求3所述的加热结构,其特征在于,所述空气放大器还包括位于所述放大腔外围的环形气流室,所述管道通过所述第一进气口输入的所述干燥气体经过所述环形气流室后进入所述放大腔。

11.一种半导体处理装置,其特征在于,包括:

如权利要求1-10中任一项所述加热结构。

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