[实用新型]制备二维晶体材料的化学气相沉积设备

权利要求书

1.一种制备二维晶体材料的化学气相沉积设备，其特征在于，包括：

真空室；

样品台，所述样品台设置在所述真空室内，所述样品台内设置有第一加热装置；

气体分配器，所述气体分配器设置在所述真空室内；

第一控温室，用于放置第一原材料，并用于将所述第一原材料加热以产生第一原材料的蒸气；

第一进气管，连通所述第一控温室和所述气体分配器；

第二控温室，用于放置固态或液态第二原材料，并用于所述第二原材料加热以产生第二原材料的蒸气；

第二进气管，连通所述第二控温室和所述气体分配器；

第三进气管，一端用于连通所述第二原材料的气体源，另一端连通所述气体分配器；

三个第四进气管，所述第四进气管用于向所述气体分配器通载体气体，三个所述第四进气管分别连通所述第一进气管、所述第二进气管以及所述第三进气管。

2.如权利要求1所述的化学气相沉积设备，其特征在于，所述第一进气管和所述第二进气管的外侧分别设有第二加热装置和第三加热装置，所述第二加热装置和所述第三加热装置分别用于对所述第一进气管的整体和所述第二进气管的整体进行加热。

3.如权利要求1所述的化学气相沉积设备，其特征在于，所述第二控温室用于放置液态第二原材料，所述化学气相沉积设备包括第五进气管，所述第五进气管的进气端与第四进气管连通，所述第五进气管的出气端与所述第二控温室连通，所述第五进气管的出气端用于插入所述第二原材料中；或者是，

所述第二控温室用于放置固态粉末的第二原材料，所述第二控温室内设有冒泡器。

4.如权利要求1所述的化学气相沉积设备，其特征在于，所述化学气相沉积设备还包括升降装置，所述升降装置的一端连接所述样品台，另一端连接所述真空室，所述升降装置用于调节所述样品台与所述气体分配器之间的距离。

5.如权利要求4所述的化学气相沉积设备，其特征在于，所述化学气相沉积设备还包括驱动件，所述升降装置与所述真空室转动连接，所述驱动件与所述升降装置连接，以驱动所述升降装置转动。

6.如权利要求1所述的化学气相沉积设备，其特征在于，所述样品台的上表面具有圆形的安装区域，所述样品台的上表面设有多个气孔，多个所述气孔沿安装区域的边缘间隔设置，所述气孔的出气方向沿所述安装区域的顺时针或逆时针方向倾斜，所述气孔用于连通载体气体源，以驱动所述样品台上的基底转动。

7.如权利要求1所述的化学气相沉积设备，其特征在于，沉积设备所述第一进气管、所述第二进气管、所述第三进气管和所述第四进气管上均设有质量流量计和气路阀门。

8.如权利要求4所述的化学气相沉积设备，其特征在于，所述化学气相沉积设备还包括等离子体发生器，所述等离子体发生器包括两个高频端子，两所述高频端子其中一者与所述气体分配器连接，另一者与所述样品台连接。

9.如权利要求1所述的化学气相沉积设备，其特征在于，所述真空室设有第四加热装置。

10.如权利要求1至9任一项所述的化学气相沉积设备，其特征在于，所述第一控温室用于加热过渡金属源以产生蒸气，所述第二控温室用于加热硫族材料以产生蒸气。