[实用新型]一种频率可调的CMOS振荡器

权利要求书

1.一种频率可调的CMOS振荡器，其特征在于，包括振荡器模块、电压-电流转换模块和带隙基准模块，所述振荡器模块、电压-电流转换模块和带隙基准模块依次电连接；所述振荡器模块包括环形振荡器电路、电平转换电路和整形电路，其中，环形振荡器电路通过改变电流的大小，然后经电平转换电路和整形电路抬高电流振荡幅值并将其波形变成规则的方波；所述电压-电流转换模块包括开关电阻阵列、误差放大器和共源共栅电流镜，为振荡器模块提供稳定电流和用于改变振荡器模块频率；所述带隙基准模块通过将正负温度系数电压按比例组合，为电压电流转换电路提供一个温漂系数很小的基准电压。

2.根据权利要求1所述的一种频率可调的CMOS振荡器，其特征在于，所述环形振荡器电路包括反相器G1~G5和电容C1~C5组成的延迟环节；

其中，反相器G1的输入端与反相器的G5输出端相连，反相器G1的输出端与反相器G2的输入端相连，反相器G2的输出端与反相器G3的输入端相连，反相器G3的输出端与反相器的G4输入端相连，反相器G4的输出端与反相器G5的输入端相连，电容C1~C5的一端分别与反相器G1~G5的输入端相连，另一端分别与反相器G1~G5的输出端相连。

3.根据权利要求1所述的一种频率可调的CMOS振荡器，其特征在于，所述电平转换电路包括NMOS晶体管N1、NMOS晶体管N4、PMOS晶体管P1和PMOS晶体管P2；

其中，NMOS晶体管N1的栅极和NMOS晶体管N4的栅极连接外部电源VDD，NMOS晶体管N1的漏极和NMOS晶体管N4的漏极相连，NMOS晶体管N1的源极和PMOS晶体管P1的漏极相连，NMOS晶体管N4的源极和PMOS晶体管P2的漏极相连，PMOS晶体管P1的源极和PMOS晶体管P2的源极相连，PMOS晶体管P1的栅极和PMOS晶体管P2的漏极相连，PMOS晶体管P2的栅极和PMOS晶体管P1的漏极相连。

4.根据权利要求1所述的一种频率可调的CMOS振荡器，其特征在于，所述整形电路电路包括反相器G6~G8；

其中，反相器G6的输入端和PMOS晶体管P1的栅极相连，反相器G6的输出端和反相器G7的输入端相连，反相器G7的输出端和反相器G8的输入端相连，反相器G8的输出端和输出电压V_OUT相连。

5.根据权利要求1所述的一种频率可调的CMOS振荡器，其特征在于，所述带隙基准模块包括晶体管M0~M9、PNP型三极管Q1~Q3和电阻R1~R2；

其中，晶体管M0的栅极和晶体管M5的漏极相连，晶体管M0的漏极和晶体管M2的源极相连，晶体管M0的源极和晶体管M3的漏极相连，晶体管M1的栅极和三极管Q2的源极相连，晶体管M1的漏极和晶体管M2的源极相连，晶体管M1的源极和晶体管M4的漏极相连，晶体管M2的栅极和晶体管M9的栅极相连，晶体管M2的漏极接地，晶体管M3的栅极和晶体管M4的栅极相连，晶体管M5的栅极和晶体管M6的栅极相连，晶体管M5的漏极和电阻R1相连，晶体管M6的漏极和晶体管M4的漏极相连，晶体管M7的栅极和晶体管M4的漏极相连，晶体管M7的漏极和晶体管M9的源极相连，晶体管M8的栅极和晶体管M7的栅极相连，晶体管M8的漏极和电阻R2相连，晶体管M3~M8的源极均和外部电源VDD连接，晶体管M9的栅极、源极均和晶体管M7的漏极相连，晶体管M9的漏极接地；

三极管Q1的源极和电阻R1相连，三极管Q2的源极和晶体管M6的漏极相连，三极管Q3的漏极和第二电阻R2的一端相连，三极管Q1的栅极和漏极、三极管Q2的栅极和源极、三极管Q3的栅极和源极均接地。