[实用新型]极紫外光光罩基底及极紫外光光罩有效
申请号: | 201921367351.0 | 申请日: | 2019-08-22 |
公开(公告)号: | CN211454228U | 公开(公告)日: | 2020-09-08 |
发明(设计)人: | 李建新;曾依蕾;杨忠宪 | 申请(专利权)人: | 福建省晋华集成电路有限公司 |
主分类号: | G03F1/24 | 分类号: | G03F1/24 |
代理公司: | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人: | 戴广志 |
地址: | 362200 福建省泉州*** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 紫外 光光 基底 | ||
1.一种极紫外光光罩基底,其特征在于,包括:
基板,所述基板包括热电材料;
导热层,所述导热层形成于所述基板上;以及
反射层,所述反射层形成于所述导热层上;
其中,所述反射层用于反射入射的极紫外光,所述导热层用于将所述反射层产生的热能传导至所述基板,所述基板用于将热能转化为电能。
2.根据权利要求1所述的极紫外光光罩基底,其特征在于,所述热电材料包括碲化铋、碲化铅或者硅锗。
3.根据权利要求1或2所述的极紫外光光罩基底,其特征在于,所述导热层包括导热系数高于1的材料。
4.根据权利要求3所述的极紫外光光罩基底,其特征在于,所述导热系数高于1的材料为绝缘体。
5.根据权利要求1或2所述的极紫外光光罩基底,其特征在于,所述反射层包括依次堆叠的至少一层复合层;
所述复合层包括高折射层与低折射层;
所述高折射层包含的材料的折射率高于所述低折射层包含的材料。
6.根据权利要求5所述的极紫外光光罩基底,其特征在于,所述反射层上还形成有钌系保护层。
7.根据权利要求6所述的极紫外光光罩基底,其特征在于,所述反射层和所述钌系保护层之间还形成有阻挡层。
8.根据权利要求7所述的极紫外光光罩基底,其特征在于,所述阻挡层包括钛、铝、镍、铂、铅、钨、钼、钴、铜、钛氮化物、铝氮化物、镍氮化物、铂氮化物、铅氮化物、钨氮化物、钼氮化物、钴氮化物、铜氮化物、钛硅化物、铝硅化物、镍硅化物、铂硅化物、铅硅化物、钨硅化物、钼硅化物、钴硅化物、铜硅化物、钛硅氮化物、铝硅氮化物、镍硅氮化物、铂硅氮化物、铅硅氮化物、钨硅氮化物、钼硅氮化物、钴硅氮化物或者铜硅氮化物。
9.根据权利要求3所述的极紫外光光罩基底,其特征在于,所述反射层包括依次堆叠的至少一层复合层;
所述复合层包括高折射层与低折射层;
所述高折射层包含的材料的折射率高于所述低折射层包含的材料。
10.根据权利要求9所述的极紫外光光罩基底,其特征在于,所述反射层上还形成有钌系保护层。
11.根据权利要求10所述的极紫外光光罩基底,其特征在于,所述反射层和所述钌系保护层之间还形成有阻挡层。
12.根据权利要求11所述的极紫外光光罩基底,其特征在于,所述阻挡层包括钛、铝、镍、铂、铅、钨、钼、钴、铜、钛氮化物、铝氮化物、镍氮化物、铂氮化物、铅氮化物、钨氮化物、钼氮化物、钴氮化物、铜氮化物、钛硅化物、铝硅化物、镍硅化物、铂硅化物、铅硅化物、钨硅化物、钼硅化物、钴硅化物、铜硅化物、钛硅氮化物、铝硅氮化物、镍硅氮化物、铂硅氮化物、铅硅氮化物、钨硅氮化物、钼硅氮化物、钴硅氮化物或者铜硅氮化物。
13.根据权利要求4所述的极紫外光光罩基底,其特征在于,所述反射层包括依次堆叠的至少一层复合层;
所述复合层包括高折射层与低折射层;
所述高折射层包含的材料的折射率高于所述低折射层包含的材料。
14.根据权利要求13所述的极紫外光光罩基底,其特征在于,所述反射层上还形成有钌系保护层。
15.根据权利要求14所述的极紫外光光罩基底,其特征在于,所述反射层和所述钌系保护层之间还形成有阻挡层。
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